[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种固体摄像装置，具有：

基板，具有第1基板面侧和与该第1基板面侧对置的一侧的第2基板面侧；

光电变换部，包括嵌入于所述基板而形成的第1导电型半导体层，且具有对所接收的光的光电变换功能以及电荷蓄积功能；

第2导电型分离层，形成在所述光电变换部的所述第1导电型半导体层的侧部；和

一个电荷传输栅极部，能够传输蓄积在所述光电变换部中的电荷，

所述光电变换部在所述第1导电型半导体层的至少一部分包括：至少一个第2导电型半导体层，其在与所述基板的法线正交的方向上形成至少一个子区域，且与所述第1导电型半导体层具有结电容成分，

所述一个电荷传输栅极部能够传输蓄积在所述光电变换部的所述子区域中的电荷，

所述第2导电型半导体层，

局部地形成于所述第1导电型半导体层，在位于周边部以及所述电荷传输栅极部的至少任一方的区域中，离子注入浓度不同于其他区域，

所述第1导电型半导体层包括注入了极性与第1导电型相反的第2导电型的杂质的反离子注入部，

所述反离子注入部中，至少与所述第2导电型半导体层的缘部以及所述电荷传输栅极部的缘部对置的缘部形成为与所述第2导电型半导体层的缘部以及所述电荷传输栅极部的缘部平行。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第2导电型半导体层，

在与所述基板的法线正交的方向上具有给定宽度，

在所述基板的法线方向上，具有从所述第1导电型半导体层的所述第2基板面侧或所述第1基板面侧的表面未到达所述第1基板面侧或所述第2基板面侧的表面的深度。

3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第2导电型半导体层，

在与所述基板的法线正交的方向上具有给定宽度，

在所述基板的法线方向上，具有从所述第1导电型半导体层的所述第2基板面侧或所述第1基板面侧的表面到达所述第1基板面侧或所述第2基板面侧的表面的深度。

4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第2导电型半导体层，

在所述基板的法线方向上具有给定宽度，

在与所述基板的法线正交的方向上，具有在与所述第2导电型分离层之间形成至少一个所述子区域的长度。

5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

在所述第1导电型半导体层的所述第1基板面侧的表面形成有第2的第2导电型半导体层。

6.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

在所述第1导电型半导体层的所述第2基板面侧的表面形成有第2的第1导电型半导体层。

7.根据权利要求6所述的固体摄像装置，其中，

在所述第2的第1导电型半导体层的所述第2基板面侧的表面形成有第3的第2导电型半导体层。

8.根据权利要求7所述的固体摄像装置，其中，

所述电荷传输栅极部包括：

第3的第1导电型半导体层，形成对蓄积在所述光电变换部中的电荷进行传输的浮动扩散区；

第4的第2导电型半导体层，形成在被层叠的所述第2的第1导电型半导体层以及所述第3的第2导电型半导体层的一个端部与所述第3的第1导电型半导体层之间；和

栅极电极，隔着绝缘膜至少形成在所述第4的第2导电型半导体层上。

9.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第2导电型半导体层，

局部地形成于所述第1导电型半导体层，并且形成至与所述基板的法线正交的方向的端部，在位于周边部以及所述电荷传输栅极部的至少任一方的端部区域中，离子注入浓度形成为比其他区域低。