[发明专利]陶瓷金属涂层

权利要求书

1.一种处理和涂覆部件的方法，所述方法包括：

将所述部件放置在磁控溅射设备的真空腔中；

在所述真空腔中激发等离子体；

通过所述等离子体交替地或同时地以第一功率水平溅射第一靶和以第二功率水平溅射第二靶；

使所溅射的第一靶、所溅射的第二靶和反应气体的组分进行化学反应；

将化学反应后的组分的涂层沉积到所述部件上；以及

控制所述磁控溅射设备的一个或多个工艺参数以产生沉积到所述部件上的所述涂层的预定颜色。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一靶包括钛，以及所述第二靶包括铝。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述等离子体期间将工作气体引入所述真空腔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述工作气体是第二反应气体。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述反应气体包括氮气、乙炔、或氮气与乙炔的组合中的一种。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述工艺参数包括所述反应气体的流量、所述工作气体的流量、所述第一功率水平、所述第二功率水平、以及交替或同时溅射的时间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述部件包括聚碳酸酯或高温聚碳酸酯中的一个。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在沉积所述涂层之前对所述部件施加辉光放电。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在施加所述辉光放电之后并且在沉积所述涂层之前将基底层施加到所述部件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述基底层包括钛层或铝层中的一个。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述涂层沉积到所述部件上之后，在所述部件上施加保护层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述保护层包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)或四甲基二硅氧烷(TMDSO)中的一种。

13.一种磁控溅射设备，包括：

第一独立溅射靶电源；

第二独立溅射靶电源；

工作气体端口；

反应气体端口；

真空腔，被配置为：容纳所述第一独立溅射靶电源、所述第二独立溅射靶电源、所述工作气体端口、所述反应气体端口和平台，所述平台用于放置由所述磁控溅射设备进行涂层沉积的部件；以及

处理电路，被配置为：

通过在所述第一独立溅射靶电源和所述第二独立溅射靶电源之间交替地切换来分别交替地溅射第一靶和第二靶，以及

控制一个或多个工艺参数以产生沉积在所述部件上的所述涂层的预定颜色。

14.根据权利要求13所述的磁控溅射设备，其中，所述处理电路还被配置为：控制经由所述反应气体端口被引入所述真空腔中的反应气体的流量。

15.根据权利要求13所述的磁控溅射设备，其中，所述处理电路还被配置为：独立地控制沉积到所述部件上的所溅射的第一靶的量和所溅射的第二靶的量。

16.根据权利要求15所述的磁控溅射设备，其中，所述处理电路还被配置为：通过控制所述第一独立溅射靶电源的功率水平和所述第二独立溅射靶电源的功率水平，来控制沉积到所述部件上的所溅射的第一靶的量和所溅射的第二靶的量。