[发明专利]一种采用全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管的MRAM存储芯片

权利要求书

1.一种采用全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管的MRAM存储芯片调节背栅极体电位的设计方法，所述MRAM存储芯片的每个MRAM存储单元的场效应管采用全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管，所述MRAM存储芯片还包括一个体电位控制单元，调控存储芯片的背栅极体电位，其中，全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管的背栅极和源极、漏极之间被一层氧化硅介电层隔绝开来；所述MRAM存储芯片在抬高背栅极体电位时，不会形成PNP和NPN型的三极管结构；

其特征在于，所述方法的具体设计方式如下：

背栅极体电位设为V_body＝V_b，V_b≥0，V_b是要施加到Body上的电压信号，且在读操作时，取V_b＝0。

2.如权利要求1所述的MRAM存储芯片调节背栅极体电位的设计方法，其特征在于，所述MRAM存储芯片调节背栅极体电位的具体方法如下：

写0方向时：

源线电位V_SL设为V₀+V_b，位线电位V_BL设为0，栅极(字线)电位V_G设为V_dd+V_b；其中，V₀+V_b是读驱动电路需要产生并施加到源线上的电压信号，V_dd+V_b读驱动电路需要产生并施加到栅极上的电压信号；

写1方向时：

源线电位V_SL设为V_b，位线电位V_BL设为V₁+V_b，栅极(字线)电位V_G设为V_dd+V_b；其中，V₁+V_b是读驱动电路需要产生并施加到位线上的电压信号。

3.如权利要求1所述的MRAM存储芯片调节背栅极体电位的设计方法，其特征在于，所述背栅极体电位V_body可根据设计需要灵活设置。

4.如权利要求3所述的MRAM存储芯片调节背栅极体电位的设计方法，其特征在于，所述背栅极体电位V_body由背栅极体电位控制电路进行设置，所述背栅极体电位控制电路可以在不同操作下合理调节所述背栅极体电位V_body。