[发明专利]西瓜种植方法在审
申请号: | 201810157748.0 | 申请日: | 2018-02-24 |
公开(公告)号: | CN108338046A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 秦春明;秦晓汉 | 申请(专利权)人: | 秦春明 |
主分类号: | A01G22/05 | 分类号: | A01G22/05;A01B79/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266111 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 种植地 西瓜 西瓜种植 西瓜种子 种植坑 嫁接 种植 生长激素 豆饼 杀菌工序 生长过程 石硫合剂 土壤处理 温室大棚 有机农药 专用菌种 挖掘 催熟剂 灭菌土 西瓜秧 西瓜叶 有机肥 瓜苗 膨果 小棚 破土 发酵 喷洒 移栽 大田 栽种 育苗 投放 温室 生长 收获 土壤 | ||
1.一种西瓜种植方法,其特征在于,包括:
土壤处理工序,将种植地中上一茬种植的西瓜根部从种植地中挖掘出,并连同西瓜秧、西瓜叶以及种植地中未收获的西瓜全部清理干净;
土壤杀菌工序,在种植地上挖掘西瓜根形成的种植坑中添加由豆饼和发酵菌种发酵形成的有机肥,并与种植坑中的土壤搅拌均匀;
种植工序,在种植坑中种植西瓜;
防止病虫工序,待西瓜种子破土生长成瓜苗后,以及在生长过程中,定期对种植地喷洒石硫合剂或者有机农药。
2.根据权利要求1所述的西瓜种植方法,其特征在于,西瓜在大棚中进行种植,其中,所述大棚包括支撑框架和设置在所述支撑框架上的第一棚膜,所述第一棚膜的下部还设置有集水槽,所述大棚的下部安装面为地表基准面,所述大棚还包括供水管和集水容器,所述供水管的管壁上设置有若干出水口,所述集水槽分别与所述集水容器连接,所述供水管与所述集水容器连接;所述支撑框架的下部边沿设置有环形阻水围挡,所述环形阻水围挡的上部位于所述地表基准面之上,所述环形阻水围挡的下部位于所述地表基准面之下,所述供水管位于所述地表基准面之下并低于所述环形阻水围挡,所述供水管的上部和下部对应设置有上湿度传感器和下湿度传感器;
所述西瓜种植方法还包括:灌溉工序,通过供水管在地下进行滴灌,滴灌过程中,如果下湿度传感器检测的湿度值低于设定值,则控制集水容器向供水管供水,而当上湿度传感器的湿度值高于设定值时,则控制停止集水容器向供水管供水。
3.根据权利要求2所述的西瓜种植方法,其特征在于,所述土壤处理工序还包括在所述大棚的四周挖沟放置所述环形阻水围挡,以在所述环形阻水围挡的作用下使得所述大棚内的种植地深度D1范围内保持干燥缺水状态,所述供水管深埋在大棚内的种植地深度D2范围内,西瓜的根部达到所述供水管周围;其中,D2>D1。
4.根据权利要求2所述的西瓜种植方法,其特征在于,所述还包括卷膜机构,所述卷膜机构包括用于收卷所述第一棚膜的卷膜轴以及带动所述卷膜轴移动的驱动机构,所述卷膜轴上设置有用于将直线运动转换为旋转运动以带动所述卷膜轴转动的转动部,所述支撑框架上还设置有用于与所述转动部配合以驱动所述转动部转动的配合部,所述第一棚膜的下边缘设置在所述卷膜轴上;
所述西瓜种植方法还包括:通风光照工序,在白天有太阳光照射的情况下,所述卷膜机构收卷起第一棚膜,以使得所述大棚内的西瓜进行通风和阳光直射。
5.根据权利要求4所述的西瓜种植方法,其特征在于,所述转动部为设置在所述卷膜轴上的齿轮,所述配合部为齿条;或者,所述转动部为设置在所述卷膜轴上的链轮,所述配合部为链条;或者,所述转动部为设置在所述卷膜轴上的摩擦轮,所述配合部为摩擦条。
6.根据权利要求2所述的西瓜种植方法,其特征在于,所述驱动机构包括电机、转轴、驱动链条和收卷盘,所述卷膜轴上设置有可转动的轴套,所述驱动链条的一端部连接所述轴套,所述驱动链条的另一端部连接所述收卷盘,所述电机与所述转轴驱动连接,所述转轴上设置有驱动链轮,所述驱动链轮与所述驱动链条啮合。
7.根据权利要求2所述的西瓜种植方法,其特征在于,所述驱动机构包括电机、两个上同步轮和两个下同步轮,两个所述上同步轮之间设置有上同步杆,两个所述下同步轮之间设置有下同步杆,所述上同步轮与对应的所述下同步轮之间设置有同步连接件,所述同步连接件上设置有安装座,所述安装座上设置有轴孔,所述卷膜轴设置在两个安装座之间并可转动的安装在所述轴孔中,所述上同步轮设置在所述支撑框架的顶部的上侧,所述下同步轮设置在所述支撑框架的顶部的下侧。
8.根据权利要求2所述的西瓜种植方法,其特征在于,所述大棚还包括控制器,所述集水容器中设置有与所述控制器连接的水位检测器,所述集水容器的下部设置有接口,所述接口连接有水泵,所述供水管通过电磁阀与所述集水容器连接,所述上湿度传感器、下湿度传感器和所述电磁阀分别与所述控制器连接;所述上湿度传感器和所述下湿度传感器均位于所述地表基准面之下。
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