[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个半导体管芯，在所述多个半导体管芯之间具有锯道；

在提供所述半导体衬底后，在所述半导体管芯的第一表面上形成多个凸块；

在形成多个凸块后，在所述多个半导体管芯的所述第一表面上在所述凸块之间形成绝缘层；

在形成所述绝缘层后，将所述半导体衬底设置在切割胶带上；

在将所述半导体衬底设置在所述切割胶带上后，穿过所述锯道切割所述半导体衬底，同时维持所述多个半导体管芯在所述切割胶带上的位置；

在切割所述半导体衬底后，使所述切割胶带扩张以赋予所述多个半导体管芯的移动并增加所述多个半导体管芯之间的空间，其中，设置不同宽度的所述锯道以补偿所述切割胶带的非线性扩张；

在移动所述多个半导体管芯后，将密封剂沉积在所述多个半导体管芯上并且进入所述多个半导体管芯之间的所述空间；以及

在沉积所述密封剂后，穿过所述密封剂在所述多个半导体管芯之间形成沟道以分离所述多个半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括在所述半导体管芯的所述第一表面上并且围绕所述凸块形成所述绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将所述密封剂沉积在所述半导体管芯的所述第一表面的一部分上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括去除所述半导体管芯的与所述半导体管芯的所述第一表面相对的第二表面的一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底上的第一半导体管芯与相邻的第二半导体管芯之间的第一距离大于所述半导体衬底上的所述第一半导体管芯与相邻的第三半导体管芯之间的第二距离。

6.一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个半导体管芯；

在提供所述半导体衬底后，在所述半导体管芯的第一表面上形成多个凸块；

在形成多个凸块后，在所述半导体管芯的所述第一表面上在所述凸块之间形成绝缘层；

在形成所述绝缘层后，将所述半导体衬底设置在切割胶带上；

在将所述半导体衬底设置在所述切割胶带上后，切割所述半导体管芯之间的所述半导体衬底以在所述半导体管芯之间形成空间，其中设置不同宽度的所述空间以补偿所述切割胶带的非线性扩张；

在切割所述半导体衬底后，使所述切割胶带扩张以扩大所述半导体管芯之间的空间；

在扩大所述空间后，将密封剂沉积在所述半导体管芯上并且进入所述半导体管芯之间的所述空间；以及

在沉积所述密封剂后，穿过所述密封剂在所述半导体管芯之间形成沟道以分离所述半导体管芯。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法还包括在所述半导体管芯的所述第一表面上并且围绕所述凸块形成所述绝缘层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法还包括将所述密封剂沉积在所述半导体管芯的所述第一表面的一部分上。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法还包括在所述半导体管芯的与所述半导体管芯的所述第一表面相对的第二表面上形成导电层。