[发明专利]一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚

权利要求书

1.一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，其特征在于，包括石墨盖(1)和石墨底槽(4)，石墨盖(1)和石墨底槽(4)之间还设置有石墨环(3)，石墨盖(1)位于石墨环(3)的上部封口处，石墨盖(1)下方依次还有碳化硅籽晶(2)、碳化硅粉源(5)，石墨环(3)和石墨底槽(4)之间增加了石墨连接环(6)。

2.根据权利要求1所述的一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，其特征在于，所述石墨连接环(6)与石墨环(3)和石墨底槽(4)之间通过卡槽嵌套连接。

3.根据权利要求1所述的一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，其特征在于，所述石墨盖(1)、石墨环(3)和石墨底槽(4)、石墨连接环(6)均由相同材料的高纯石墨制作而成。

4.根据权利要求3所述的一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，其特征在于，所述高纯石墨是指碳含量大于99.999％的石墨。

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，其特征在于，所述碳化硅粉源(5)的装料高度低于石墨连接环(6)的位置，避免碳化硅粉的结晶导致石墨连接环(6)与石墨底槽(4)粘结在一起，造成拆卸困难。

6.根据权利要求5所述的一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，其特征在于，所述石墨环(3)、石墨底槽(4)和石墨连接环(6)的截面均为圆形。

7.根据权利要求5所述的一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，其特征在于，所述石墨连接环(6)高度不超过石墨环(3)的高度。