[发明专利]基于SOG圆片的深硅刻蚀方法

权利要求书

1.一种基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述深硅刻蚀方法包括以下步骤：

提供一SOG圆片，所述SOG圆片置于一平板上；

在所述SOG圆片的硅结构层上形成一硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成一光刻胶层并曝光、显影以曝露部分硬掩膜层；

对曝露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀以曝露部分硅结构层；

对曝露的所述部分硅结构层在一腔室内进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，所述深感应耦合等离子体干法刻蚀包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，所述第一刻蚀阶段包括循环进行的第一钝化步骤、第一预刻蚀步骤和第一刻蚀步骤，所述第二刻蚀阶段包括循环进行的第二钝化步骤、第二预刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，所述第一刻蚀步骤及所述第二刻蚀步骤中的压力均为30mTorr～40mTorr，所述第一刻蚀步骤及所述第二刻蚀步骤的刻蚀时间均随循环的周期的增加而逐渐增大，所述第一刻蚀步骤及所述第二刻蚀步骤中的平板处的射频功率均随循环的周期的增加而逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤的刻蚀时间为0.8s～1.8s，所述第二刻蚀步骤的刻蚀时间为1.8s～2.7s，均随循环的周期的增加而逐渐增大。

3.根据权利要求1所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤中的平板处的射频功率为50W～60W，所述第二刻蚀步骤中的平板处的射频功率为60W～70W，均随循环的周期的增加而逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述腔室分为第一腔室及第二腔室，所述第一腔室内施加第一腔室射频功率，所述第二腔室内施加第二腔室射频功率。

5.根据权利要求4所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤及所述第二刻蚀步骤中的第一腔室射频功率均为2000W～3000W，第一腔室的SF₆的进气量均为250sccm～350sccm；所述第一刻蚀步骤及第二刻蚀步骤中的第二腔室的射频功率均为500W～800W，第二腔室的SF₆的进气量均为50sccm～150sccm。

6.根据权利要求4所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一钝化步骤及所述第二钝化步骤中的钝化时间均为2s～2.5s，压力均为30mTorr～40mTorr，所述第一腔室射频功率均为2000W～3000W，所述第一腔室的C₄F₈的进气量均为300sccm～350sccm，所述第二腔室射频功率均为500W～800W，所述第二腔室的C₄F₈的进气量均为100sccm～120sccm。

7.根据权利要求4所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一预刻蚀步骤及所述第二预刻蚀步骤的预刻蚀时间均为1s～1.3s，压力均为20mTorr～30mTorr，所述第一腔室射频功率均为2000W～3000W，所述第一腔室的SF₆的进气量均为250sccm～350sccm，所述第二腔室射频功率均为500W～800W，平板处的射频功率均为100W～150W。

8.根据权利要求1所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀阶段与第二刻蚀阶段的循环周期数均为200周期～250周期。

9.根据权利要求1所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述深感应耦合等离子体干法刻蚀中所述平板的温度≤3℃，向所述平板与所述SOG圆片之间通入惰性气体，惰性气体的压力为5～10Torr。

10.根据权利要求9所述的基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，向所述平板与所述SOG圆片之间通入惰性气体5s～15s后进行所述第一刻蚀阶段的刻蚀，向所述平板与所述SOG圆片之间上通入惰性气体50s～70s后进行所述第二刻蚀阶段的刻蚀。