[发明专利]压电元件以及压电元件应用装置有效
| 申请号： | 201810159615.7 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108656749B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 北田和也;角浩二;酒井朋裕;高桥敏明;浅川勉 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | B41J2/14 | 分类号： | B41J2/14;H01L41/083;H01L41/18 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;张放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电体膜 压电元件 压电体层 第一电极 第二电极 应用装置 基板 结晶取向 浓度减少 层叠体 | ||
1.一种压电元件，其特征在于，具有：
基板；
第一电极，其被形成在所述基板上；
压电体层，其被形成在所述第一电极上，且为包含钾、钠、以及铌的多个压电体膜层叠而成的层叠体；
第二电极，其被形成在所述压电体层上，
所述压电体层中的钠浓度在所述多个压电体膜中的第一压电体膜的所述第一电极的附近处具有作为所述钠浓度的极大值的Na极大值，且从所述Na极大值起越靠近所述第二电极则越向所述钠浓度减少的方向变化，并且在所述第一压电体膜与被形成于所述第一压电体膜正上方的第二压电体膜的边界附近处具有作为所述钠浓度的极小值的Na极小值。
2.如权利要求1所述的压电元件，其特征在于，
所述Na极大值相对于所述Na极小值的SIMS测定中的强度比(Na极大值/Na极小值)为1.05以上。
3.如权利要求2所述的压电元件，其特征在于，
所述Na极大值相对于所述Na极小值的SIMS测定中的强度比(Na极大值/Na极小值)为1.6以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的压电元件，其特征在于，
所述压电体层中的钾浓度在所述第一压电体膜与所述第二压电体膜的边界附近处具有作为钾浓度的极大值的K极大值，且从所述K极大值起越靠近所述第一电极则越向所述钾浓度减少的方向变化。
5.如权利要求4所述的压电元件，其特征在于，
在将所述第一压电体膜与所述第一电极的边界附近的所述钾浓度的拐点设为K拐点值时，所述K极大值相对于所述K拐点值的SIMS测定中的强度比(K极大值/K拐点值)为1.15以上。
6.如权利要求5所述的压电元件，其特征在于，
所述K极大值相对于所述K拐点值的SIMS测定中的强度比(K极大值/K拐点值)为2.0以下。
7.如权利要求1所述的压电元件，其特征在于，
所述压电体层包含0.2摩尔％以上且2.0摩尔％以下的锰。
8.如权利要求1所述的压电元件，其特征在于，
所述基板包含氧化锆。
9.一种压电元件应用装置，其特征在于，
具备权利要求1至权利要求8中的任一项所述的压电元件。
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