[发明专利]一种高性能碳基连接层连接碳/碳复合材料的方法在审
申请号: | 201810159906.6 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108299005A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 冯雷;何鑫;杨艳玲;侯小江;锁国权 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B37/00 | 分类号: | C04B37/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 王晶 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 连接层 碳基 碳/碳复合材料 复合材料热膨胀系数 金属催化剂前驱体 催化剂前驱体 复合材料表面 抗热震性能 预氧化处理 表面多孔 技术效果 石墨夹具 原位生长 玻璃基 金属基 陶瓷基 中间层 沉积 制备 叠加 浸泡 匹配 注射 并用 | ||
1.一种高性能碳基连接层连接碳/碳复合材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,将C/C复合材料预氧化处理得到表面多孔而内部完整的结构,预氧化处理温度为800~1000℃,预氧化处理时间为1~10min;
步骤2,将步骤1得到的C/C复合材料浸入质量分数为1%~10%的催化剂前驱体水溶液中3~12h,使C/C复合材料表面搭载均匀的催化剂前驱体;
步骤3,采用注射CVD工艺在步骤2得到的C/C复合材料表面原位生长SiCNW,得到表面生长有SiCNW的C/C复合材料;
步骤4,将步骤3得到的C/C复合材料叠加在一起,用石墨夹具固定,采用CVI工艺沉积PyC,沉积工艺条件为:沉积温度1000~1200℃,甲烷10~60L/h,氮气100~500L/h,沉积时间50~150h,得到用SiCNW/PyC中间层连接的C/C复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种高性能碳基连接层连接碳/碳复合材料的方法,其特征在于,所述的步骤2中的金属催化剂前驱体为Fe、Ni、Co或Cu的化合物的一种或几种的混合。
3.根据权利要求1所述的一种高性能碳基连接层连接碳/碳复合材料的方法,其特征在于,所述的步骤3中的SiCNW生长工艺条件为:MTS为碳硅源,注入量为0.1~1ml/min,生长温度1050~1300℃,氢气流量100~600ml/min,氩气流量200~1000ml/min,生长时间10~120min。
4.根据权利要求3所述的一种高性能碳基连接层连接碳/碳复合材料的方法,其特征在于,所述的MTS以注射的方式注入到CVD炉中。
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