[发明专利]一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

合成二乙炔基聚合物；

将二乙炔基聚合物置于有机溶剂中溶解，浇注于成膜容器中，并用微孔薄膜封闭该成膜容器，然后于室温条件下自然挥发2-96h，使二乙炔基聚合物薄膜成型，并将成型后的薄膜置于真空度为-0.08～-0.1MPa的干燥箱中干燥，干燥温度为30-70℃，干燥时间为6h-72h，以去除聚合物薄膜中的有机溶剂，形成二乙炔基聚合物薄膜；

将所述二乙炔基聚合物薄膜置于鼓风干燥箱中进行固化，蒸发剩余的有机溶剂致孔，固化温度为110-250℃，固化时间为10-90min，得到多孔低介电常数的二乙炔基聚合物薄膜；

所述二乙炔基聚合物通式为：

其中：R₁和R₂均为非极性基团；

R₄有机物表达式为：

-O-或-S-；

其中：R₃为：

R₅和R₆也均为非极性基团。

2.根据权利要求1所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，R₁和R₂为相同基团，R₅和R₆也为相同基团。

3.根据权利要求1所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述二乙炔基聚合物的反应单体为：

R₁和R₂均为非极性基团；

R₃为：

4.根据权利要求3所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，单体反应聚合比为m:n，其中0＜m＜1，0＜n＜1，m与n之和为1。

5.根据权利要求1所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，有机溶剂选自二甲基亚砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、四氢呋喃、氯仿、乙酸乙酯、二氯甲烷、甲苯中任一。

6.通过权利要求1-5任一项所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法获得的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜。