[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电型的漏极层，在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上扩展；

第1导电型的漂移层，形成于上述漏极层的表面，该表面是上述漏极层的与上述第1方向及上述第2方向交叉的第3方向上的一个面；

第2导电型的基底区域，形成于上述漂移层的表面；

第1导电型的源极区域，形成于上述基底区域的表面；

多个沟槽，该多个沟槽为在上述第1方向及上述第2方向上形成为阵列状的沟槽，且从上述源极区域的表面沿着上述第3方向贯通上述基底区域而到达上述漂移层；

第2导电型的基底接触件区域，是在沿着上述第1方向的沟槽彼此之间以在上述第2方向上延伸的方式形成的基底接触件区域，且形成为在上述源极区域内与上述沟槽分离，并与上述基底区域电连接；

多个栅极区域，沿着各个上述沟槽的内壁隔着绝缘膜形成于上述沟槽内；

多个场板电极，在各个上述栅极区域隔着绝缘膜而相邻并在上述沟槽内沿着上述第3方向形成，在上述第3方向上形成为比上述栅极区域长；

第1源极接触件，在上述基底接触件区域及上述源极区域的上表面，在沿着上述第1方向的沟槽彼此之间，以沿着上述第2方向延伸的方式形成，与上述基底接触件区域及上述源极区域电连接；

第2源极接触件，在上述场板电极的上表面，与上述场板电极电连接；以及

栅极接触件，在上述栅极区域的上表面与上述栅极区域电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第1金属层，与上述基底接触件区域及上述源极区域经由上述第1源极接触件而连接，与各个上述场板电极经由上述第2源极接触件而连接；

第2金属层，与上述第1金属层通过绝缘膜而绝缘，与各个上述栅极区域经由上述栅极接触件而连接；以及

第3金属层，以与上述第1金属层连接，并且与上述第2金属层通过绝缘膜而绝缘的方式，层叠在上述第1金属层及上述第2金属层的上述第3方向上而形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述沟槽配置成矩形格子状或者斜方格子状。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述沟槽配置成矩形格子状或者斜方格子状。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第3方向与上述第1方向及上述第2方向大致正交。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述第3方向与上述第1方向及上述第2方向大致正交。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述第3方向与上述第1方向及上述第2方向大致正交。

8.根据权利要求1、2、3、5或7所述的半导体装置，其中，

上述第1方向与上述第2方向大致正交，

上述沟槽是在上述第1方向及上述第2方向上有边、且在上述第2方向上延伸的边比在上述第1方向上延伸的边更长的矩形状的沟槽，

上述场板电极在上述沟槽中沿着上述第2方向而形成。

9.根据权利要求1、2、3、5或7所述的半导体装置，其中，

上述沟槽是六边形状、圆状、椭圆状或者将矩形或者六边形倒角后的形状。