[发明专利]一种手征性耦合纤芯增益光纤及制备方法

权利要求书

1.一种手征性耦合纤芯增益光纤，其特征在于，由内向外依次包括中央纤芯(1)，卫星纤芯(2)，内包层(3)，外包层(4)，

所述中央纤芯(1)的直径为a，所述卫星纤芯(2)的直径为b,所述中央纤芯(1)与卫星纤芯(2)的芯间距为d，且b<a,d<a+b,所述中央纤芯(1)、卫星纤芯(2)、内包层(3)、外包层(4)的折射率分别为n₁,n₂,n₃,n₄且n₁>n₃>n₄，n₂>n₃,所述卫星纤芯(2)为等螺距螺旋结构，所述卫星纤芯(2)的螺距为Λ，且3mm<Λ<15mm。

2.根据权利要求1所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤，其特征在于，所述中央纤芯(1)为镱铝且掺杂Ge,P,F中的一种或多种的玻璃材料。

3.根据权利要求1所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤，其特征在于，所述卫星纤芯(2)为铜或钐且掺杂Ge,P,F中的一种或多种的玻璃材料。

4.根据权利要求1所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤，其特征在于，所述内包层(3)结构为D形，矩形，六边形，八边形中的任一种。

5.根据权利要求1所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤，其特征在于，所述内包层(3)基质材料为石英玻璃,掺杂元素为Ge,Al,F,P中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤，其特征在于，所述外包层(4)的制备是采用PCVD或MCVD管内沉积基质材料和掺杂材料；

所述内包层(3)的制备采用PCVD或MCVD管内沉积基质材料和掺杂材料；

所述卫星纤芯(2)的制备是采用MCVD沉积基质材料和掺杂材料，所述MCVD制备方法可采用溶液法或气相沉积法；

所述中央纤芯(1)的制备是采用MCVD沉积基质材料和掺杂材料，所述MCVD制备方法可采用溶液法或气相沉积法。

7.一种用于制备权利要求1-6任一项所述的手征性耦合纤芯增益光纤的制备方法，其特征在于，包括：

步骤一，制备中央纤芯预制棒和卫星纤芯预制棒；

步骤二，根据所述卫星纤芯预制棒的尺寸对所述中央纤芯预制棒进行打孔处理，所打的孔径与卫星纤芯预制棒尺寸匹配；

步骤三，将打孔后的所述中央纤芯预制棒与卫星纤芯预制棒进行组装并通过高温拉伸成实心棒；

步骤四，对所述实心棒进行高速旋转拉丝获得所需的手征性耦合纤芯增益光纤。

8.根据权利要求7所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤的制备方法，其特征在于，所述中央纤芯预制棒采用PCVD或MCVD管内沉积基质材料和掺杂材料,所述卫星纤芯预制棒采用PCVD或MCVD管内沉积基质材料和掺杂材料。

9.根据权利要求7所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤的制备方法，其特征在于，步骤三所述的高温拉伸温度为大于等于1850℃小于等于2200℃。

10.根据权利要求7所述的一种手征性耦合纤芯增益光纤的制备方法，其特征在于，所述高速旋转拉丝的旋转速度为大于等于0转小于等于2000转，所述高速旋转拉丝的拉丝速度为大于等于2米/分小于等于20米/分，拉丝张力为大于等于10克小于等于150克，拉丝温度为大于等于1650℃小于等于2000℃。