[发明专利]有机EL装置的制造方法、有机EL装置、电子设备有效
申请号: | 201810161384.3 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN108417602B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 中村久寿;岩田信一;渥美诚志;花村雄基;赤川卓 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;李庆泽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 电子设备 | ||
本发明提供能够使连接用端子高精度地且以较高的生产性暴露的有机EL装置的制造方法、有机EL装置以及具备该有机EL装置的电子设备。本应用例的有机EL装置的制造方法具备:覆盖多个有机EL元件以及连接用端子而形成密封层的工序(步骤S1);形成作为覆盖密封层的有机层的彩色滤光片的工序(步骤S2);以在彩色滤光片中与连接用端子重叠的部分形成到达密封层的开口部的方式对彩色滤光片进行图案化的工序(包括于步骤S2);以及将图案化形成的彩色滤光片作为掩模以连接用端子的至少一部分暴露的方式对密封层进行蚀刻的工序(步骤S3)。
本申请是申请号为201310511555.8,申请日为2013年10月25日,发明名称为“有机EL装置的制造方法、有机EL装置、以及具备该有机EL装置的电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及具备有机电致发光(EL)元件的有机EL装置的制造方法、有机EL装置、以及具备该有机EL装置的电子设备。
背景技术
有机EL元件构成为具有阳极、阴极、以及夹在这些电极间的包含有机发光层的功能层。对功能层来说,通过从阳极侧注入的空穴、和从阴极侧注入的电子在有机发光层再结合而产生的能量被转换为荧光、磷光而发光。然而,若水分、氧等从外部经由阳极、阴极浸入功能层,则对有机发光层的载流子(空穴、电子)的注入被阻碍而发光的亮度降低、或功能层变质而失去发光功能本身,产生所谓暗斑的暗点。
在具备这样的有机EL元件的有机EL装置中,为了防止水分、氧等的浸入而形成有覆盖多个有机EL元件的密封层。
另一方面,为了实现与外部驱动电路的连接,上述有机EL装置设有多个连接用端子,所述多个连接用端子连接有机EL装置的各种布线。连接用端子比密封层先形成,因此在形成密封层时需要使连接用端子暴露以便能够进行电利用。
例如,专利文献1公开了在形成层叠体之后,形成相当于上述密封层的保护膜之前,按电极连接部不被保护膜覆盖的方式对电极连接部的表面进行改质的有机EL元件的制造方法,其中,层叠体由阳极、包含发光层的有机层、阴极层叠而形成。
另外,例如,专利文献2公开了一种有机EL装置的制造方法,该方法具备:通过等离子体CVD法形成由无机材料构成的第1气体阻挡层的工序,其中,所述无机材料覆盖元件基板上的包含多个有机EL元件的发光区域;以与第1气体阻挡层平面重叠的方式,利用离子电镀法形成第2气体阻挡层的工序。在该有机EL装置的制造方法中,使用具有与发光区域对应的开口的成膜用掩模,形成第1气体阻挡层、第2气体阻挡层。换句话说,上述连接用端子被成膜用掩模覆盖,因此连接用端子未形成相当于上述密封层的第1气体阻挡层以及第2气体阻挡层。
专利文献1:日本特开2002-151254号公报
专利文献2:日本特开2010-244696号公报
根据上述专利文献1的有机EL元件的制造方法,需要预先对电极连接部的表面进行改质的工序,因而存在制造工序变得复杂这样的课题。
另外,根据上述专利文献2的有机EL装置的制造方法,若元件基板与成膜用掩模未被设置在规定位置,则存在连接用端子上附着无机材料的问题。因此,设置有连接用端子的部分越小,则元件基板与成膜用掩模的对准越困难。另外,在批量生产时,由于需要除去附着于成膜用掩模的无机材料,所以存在成膜用掩模被要求耐老化性等课题。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的,能够作为以下的方式或者应用例实现。
应用例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的