[发明专利]实现可变鳍片间距的双芯轴

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上方形成底部芯轴层；

在该底部芯轴层上方形成顶部芯轴层；

在掩膜该衬底的第二区域内的该顶部芯轴层时蚀刻该顶部芯轴层，以在该衬底的第一区域内形成多个顶部牺牲芯轴；

在该顶部牺牲芯轴的侧壁上形成顶部蚀刻掩膜；

从该衬底的该第一区域移除该顶部牺牲芯轴；

从该衬底的该第二区域移除该顶部芯轴层；

在该衬底的该第二区域内的该底部芯轴层上方图案化第二光刻堆叠；

将对应该顶部蚀刻掩膜的图案转移至该底部芯轴层中，以在该衬底的该第一区域内形成多个底部牺牲芯轴；

将对应该第二光刻堆叠的图案转移至该底部芯轴层中，以在该衬底的该第二区域内形成多个底部牺牲芯轴；

在该衬底的该第一区域及该第二区域内的该底部牺牲芯轴的侧壁上形成底部蚀刻掩膜；以及

将对应该底部蚀刻掩膜的图案转移至该衬底中，以形成多个半导体鳍片。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该顶部芯轴层直接形成于该底部芯轴层上方。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该顶部芯轴层包括非晶碳且该底部芯轴层包括非晶硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻该顶部芯轴层之前，在该顶部芯轴层上方形成自下而上包括有机平坦化层、抗反射涂层及光阻层的第一光刻堆叠。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：在形成该第一光刻堆叠之前，在该顶部芯轴层上方形成低温氧化物层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，将对应该顶部蚀刻掩膜的该图案转移至该衬底的该第一区域内的该底部芯轴层中与将对应该第二光刻堆叠的该图案转移至该衬底的该第二区域内的该底部芯轴层中同时执行。

7.如权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻该底部芯轴层之前，在该底部芯轴层上方形成自下而上包括有机平坦化层、抗反射涂层及光阻层的该第二光刻堆叠。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该多个顶部牺牲芯轴沿第一方向相互隔开第一距离，该多个底部牺牲芯轴沿该第一方向相互隔开第二距离，且该第一距离不同于该第二距离。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成该顶部蚀刻掩膜包括共形沉积顶部介电层并各向异性蚀刻该顶部介电层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该顶部蚀刻掩膜具有20至50纳米的厚度。

11.如权利要求1所述的方法，其中，形成该底部蚀刻掩膜包括共形沉积底部介电层并各向异性蚀刻该底部介电层。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该底部蚀刻掩膜具有5至20纳米的厚度。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该底部蚀刻掩膜的厚度小于该顶部蚀刻掩膜的厚度。

14.如权利要求1所述的方法，其中，位于该衬底的该第一区域内的该鳍片以第一间距排列且位于该衬底的该第二区域内的鳍片以不同于该第一间距的第二间距排列。

15.如权利要求1所述的方法，其中，在移除任意鳍片之前，位于该衬底的该第一区域内的该鳍片以第一间距排列且位于该衬底的该第二区域内的该鳍片以不同于该第一间距的第二间距排列。

16.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成该底部芯轴层之前，在该衬底上方形成氮化物硬掩膜。