[发明专利]一种晶圆测试参数设置方法在审
申请号: | 201810161473.8 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108400100A | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 邓维维;王华;凌俭波;周官宏;季海英 | 申请(专利权)人: | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根;徐颖 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 测试参数设置 目标坐标 自动测试 探针台 种晶 机台 测试数据 测试效率 管芯参数 客户要求 配置文件 输入信息 数据补充 周围位置 坐标信息 测试机 误操作 有效地 晶圆 扫描 验证 测试 灵活 客户 保证 | ||
本发明涉及一种晶圆测试参数设置方法,不需要人工设置探针台配置文件。同一产品,得到客户提供的批号、片号、相应目标坐标信息和管芯参数要求后,探针台取得当前机台内的晶圆相应批号、片号和坐标信息,测试机按照输入信息参照目标坐标进行相应管芯的自动测试扫描,并对失效管芯进行周围位置管芯补测,自动测试的同时对失效进行验证和数据补充。保证测试数据的正确性,测试灵活并且适应各种客户要求,避免人工设定造成的误操作,有效地提高测试效率和质量。
技术领域
本发明涉及一种检测技术,特别涉及一种晶圆测试参数设置方法。
背景技术
晶圆测试:对硅晶圆微电路进行电特性测试,按照对应电特性规范,区分合格和不合格的微电路。测试机:自动检测成品微电路电特性参数的设备。测试探针台:用来放置晶圆的探针台设备,进行晶圆测试。探针台设备:探针台中对相应晶圆产品的设置,规制测试产品管芯的测试目标、坐标以及map。测试程序:适用测试机中,按照预编方式、方法进行电特性参数的测量、计算和打印结果。测试数据:测试机使用对应测试程序生成相应成品微电路的电特性参数并进行保存的结果。
在测试工厂中,通常需要按照相应标准和客户需求对部分产品的晶圆进行部分管芯的测试项进行参数的数据收集,对产品的性能进行摸底,来验证是否满足产品的设计指标、符合量产工艺要求。
一般,进行晶圆摸底时对参数的极限值、性能均需要进行详细的扫描测试,因为测试项测试时间较久的缘故,所以一般进行晶圆测试摸底时不会进行全片所有管芯的测试,会根据实际晶圆管芯数量进行相应比例的抽样测试。
目前探针台在进行测试前需要对测试晶圆进行设置配置,用来对晶圆量产测试的测试目标、走步、测试管芯数量进行设置。对于一种测试方案需要进行一次测试设备的设置,因为这种缘故,一般同批晶圆在实际晶圆参数摸底时需要根据实际需要设置相应的设置,造成同一个产品有过多的设备设置,浪费人工且容易出现误设置影响测试质量。
一般测试扫描,使用探针台根据进行测试扫描的晶圆管芯建立一份设备设置,如图1所示1#测试扫描管芯标识设置示意图,同一批号后续晶圆只能按照建立好的设置进行测试,无法灵活地满足客户要求。如客户提出改动或另一批号晶圆测试,如图2所2#测试扫描管芯标识设置示意图,其排布与图1不同,若需要按照如图2进行测试扫描,需要另行设置探针台设备,图中1#和2#是指批次号。每批次都要建立如图1和2所示的设置文件,并且严格按设置文件中标识测试管芯。
晶圆测试摸底时,测试目标、管芯数量由客户指定,相对固定,无法根据客户要求设置,灵活地进行不同片号的不同坐标、不同测试项的参数扫描测试。同一片晶圆只能按照一种测试方案进行测试,无法对其中某些管芯进行特定的测试。
发明内容
本发明是针对现在晶圆测试时对于参数摸底方法费时费力的问题,提出了一种晶圆测试参数设置方法,解决晶圆测试摸底时受测试设备设置限制,造成晶圆测试摸底时的局限性,造成测试目标、测试要求无法根据客户要求进行灵活的变化,难以满足实际测试的需求。且建立不同探针台设备设置时,浪费测试机时间和人工,容易造成误操作,无法进行标准化进行定制问题。
本发明的技术方案为:一种晶圆测试参数设置方法,具体包括如下步骤:
1)同一产品,得到客户提供的批号、片号、相应目标坐标信息和管芯参数要求后,选定一片先进行预测,探针台取得当前机台内的晶圆相应批号、片号、坐标信息,按照输入信息参照目标坐标进行相应管芯的测试扫描;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造