[发明专利]半导体激光器的驱动装置有效
申请号: | 201810162542.7 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108390253B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 邓仕发;潘奕;丁庆 | 申请(专利权)人: | 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 易皎鹤 |
地址: | 518102 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体激光器 驱动 装置 | ||
1.一种半导体激光器的驱动装置,其特征在于,所述驱动装置包括:
驱动模块,与所述半导体激光器连接,所述驱动模块为所述半导体激光器提供驱动电流;
电流监测模块,用于实时监测所述驱动电流并输出驱动电流的值;
控制器,与所述电流监测模块连接,所述控制器根据所述驱动电流的值判断驱动电流是否符合要求,并依据判断结果控制所述半导体激光器的工作状态;
所述电流监测模块包括第一电流监测单元和第二电流监测单元;
所述第一电流监测单元用于实时监测所述半导体激光器的驱动电流,并将所述驱动电流的值反馈至所述控制器;
所述第二电流监测单元用于实时监测所述驱动模块的输出电流,并将所述输出电流的值反馈至所述控制器;
其中,所述控制器用于判断所述输出电流与所述驱动电流之间的差值是否符合预设标准;若所述差值符合所述预设标准,所述控制器还用于判定所述驱动电流符合要求,并控制所述半导体激光器导通;
所述控制器还用于控制所述驱动模块的开启、关闭及该驱动模块输出电流的大小;
其中,在所述半导体激光器需要上电启动时,所述控制器用于控制所述驱动模块的输出电流由零逐渐增加至第一电流值,并将所述半导体激光器置于不导通状态;在所述驱动模块的输出电流增加至所述第一电流值时,所述控制器还用于将所述半导体激光器置于导通状态,并同时控制所述驱动模块的输出电流由第一电流值增加至第二电流值;在所述驱动模块的输出电流增加至所述第二电流值时,所述控制器用于控制所述驱动模块输出恒定电流;
在所述半导体激光器需要关闭时,所述控制器用于控制所述驱动模块的输出电流由所述第二电流值减小至所述第一电流值,并将所述半导体激光器置于导通状态;在所述驱动模块的输出电流减小至所述第一电流值时,所述控制器还用于将所述半导体激光器置于关闭状态,并同时控制所述驱动模块的输出电流由第一电流值减小至零。
2.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,所述驱动模块还包括防护单元和驱动单元;
所述防护单元连接于所述控制器和所述驱动单元之间;所述防护单元用于保护所述驱动单元;所述控制器还用于控制所述驱动单元的关闭和开启。
3.根据权利要求2所述的驱动装置,其特征在于,在所述驱动电流不符合标准时,所述控制器先关闭所述半导体激光器,再控制所述驱动单元关闭。
4.根据权利要求2所述的驱动装置,其特征在于,所述驱动单元还包括:
电流限制器件,用于将所述驱动单元的输出电流限制在预设电流范围内。
5.根据权利要求2所述的驱动装置,其特征在于,所述防护单元包括限压电路、滤波电路和缓冲电路;其中,所述限压电路用于限制所述驱动单元的电压;所述滤波电路用于滤除干扰和/或减少浪涌;所述缓冲电路用于隔离所述控制器和所述驱动单元。
6.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,还包括控制开关和保护开关;所述保护开关与所述半导体激光器并联,所述保护开关在所述半导体激光器关闭时打开,以避免所述半导体激光器受到静电损坏,所述保护开关在所述半导体激光器开启时关闭;所述控制开关连接于所述保护开关和所述控制器之间,所述控制开关用于控制所述保护开关的打开或关闭。
7.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,还包括:
温度采集模块,用于采集所述半导体激光器的温度;
温度调节模块,用于调节所述半导体激光器的温度;
所述控制器与所述温度采集模块和所述温度调节模块分别连接,所述控制器根据所述温度采集模块采集的温度值控制所述温度调节模块的工作,以使所述半导体激光器的温度在预设温度范围内。
8.根据权利要求7所述的驱动装置,其特征在于,所述温度采集模块包括温度采集设备和处理电路,所述温度采集设备用于探测所述半导体激光器的温度,并输出探测信号;所述处理电路与所述半导体激光器和所述控制器分别连接,所述处理电路用于将所述探测信号转变为温度信号,并将所述温度信号传输至所述控制器。
9.根据权利要求7所述的驱动装置,其特征在于,所述温度调节模块包括加热单元和制冷单元,所述控制器在所述半导体激光器的温度高于所述预设温度范围的上限时,控制所述制冷单元制冷,以使所述半导体激光器降温;所述控制器在所述半导体激光器的温度低于所述预设温度范围的下限时,控制所述加热单元加热,以使所述半导体激光器升温。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院,未经深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810162542.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。