[发明专利]阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法在审
申请号: | 201810163135.8 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108333845A | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 陈辰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素电极层 基板 薄膜晶体管 阵列基板 平坦层 通孔 显示面板 光阻层 覆盖 高度差距 漏极接触 漏极 填充 制作 | ||
本发明提供一种阵列基板,用于形成显示面板,包括基板,设于所述基板上的薄膜晶体管以及设于所述基板和所述薄膜晶体管上的平坦层,所述平坦层中设有露出所述薄膜晶体管的漏极的第一通孔,所述平坦层远离所述基板的表面上设有像素电极层,所述像素电极层覆盖所述第一通孔并与所述漏极接触,所述像素电极层上覆盖有光阻层,且所述光阻层填充覆盖有所述像素电极层的所述第一通孔。本发明解决了由于产品高度差距所导致的不良。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法。
背景技术
在显示屏制造中,由于低温多晶硅技术制造的产品成本较低、器件电子迁移率高等特点,低温多晶硅技术越来越受到手机、平板屏幕等制造商的青睐。但是,由于使用低温多晶硅技术技术所需的膜层较多,膜层结构复杂,导致薄膜晶体管阵列面板在经过数次膜层累加后,产品高度差距明显,在后续的成盒制程中对液晶的配向易造成较大影响,进而造成产品的不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法,以解决由于产品高度差距所导致的不良。
本发明提供一种阵列基板,用于形成显示面板,包括基板,设于所述基板上的薄膜晶体管以及设于所述基板和所述薄膜晶体管上的平坦层,所述平坦层中设有露出所述薄膜晶体管的漏极的第一通孔,所述平坦层远离所述基板的表面上设有像素电极层,所述像素电极层覆盖所述第一通孔并与所述漏极接触,所述像素电极层上覆盖有光阻层,且所述光阻层填充覆盖有所述像素电极层的所述第一通孔。
其中,所述光阻层上设有光阻柱,所述光阻柱用于支撑所述显示面板。
其中,所述基板上设有遮光层,所述遮光层上设有覆盖所述遮光层的缓冲层,所述缓冲层上设有多晶硅层,所述多晶硅层上覆盖有介电绝缘层,所述介电绝缘层中形成有两个间隔设置的且露出所述多晶硅层部分表面的第二通孔与第三通孔,所述薄膜晶体管的所述漏极与源极设于所述介电绝缘层上,且所述漏极通过所述第二通孔与所述多晶硅层接触,所述源极通过所述第三通孔与所述多晶硅层接触,所述平坦层设于所述漏极、所述源极以及所述介电绝缘层上。
其中,所述介电绝缘层包括绝缘层以及层叠于所述绝缘层上的介电层,所述薄膜晶体管的栅极设于所述绝缘层上,所述介电层覆盖所述栅极。
其中,所述平坦层上设有公共电极层,所述公共电极层上设有钝化层,所述钝化层覆盖所述公共电极层以及所述第一通孔的侧壁;所述钝化层上设有所述像素电极层,所述像素电极层覆盖所述钝化层,且所述像素电极层通过所述第一通孔与所述漏极接触。
本发明提供一种显示面板,包括上述的阵列基板。
本发明提供一种阵列基板的制作方法,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管;
在所述基板和所述薄膜晶体管上形成平坦层;
在所述平坦层中形成露出所述薄膜晶体管的漏极的第一通孔;
在所述平坦层远离所述基板的表面上形成像素电极层,其中,所述像素电极层覆盖所述第一通孔并与所述漏极接触;
在所述像素电极层上形成覆盖所述像素电极层的光阻层,其中,所述光阻层填充覆盖有所述像素电极层的所述第一通孔。
其中,在所述基板上形成薄膜晶体管的步骤还包括:
在所述基板上形成遮光层;
在所述遮光层上形成覆盖所述遮光层的缓冲层;
在所述缓冲层上形成多晶硅层;
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