[发明专利]具有减少的凹坑缺陷的III-V半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其包括：

在基材上形成III-V半导体层；

通过在加工室中组合至少铟前体、与所述铟前体不同的III族元素前体，和V族元素前体，从而在III-V半导体层的生长表面上形成铟固相浓度在铟饱和区域以上并且具有减小的V形凹坑密度的铟-III-V半导体层，所述加工室构造为具有铟过饱和区域，所述铟过饱和区域包括比对应于铟饱和区域的室温更低的室温。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括形成厚度大于临界厚度的铟-III-V半导体层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成具有减小的V形凹坑密度的铟-III-V半导体层还包括相对于来自铟-III-V半导体层的生长表面的铟的解吸通量，降低来自铟-III-V半导体层的V形凹坑侧壁的铟的解吸通量。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成具有减小的V形凹坑密度的铟-III-V半导体层还包括相对于铟在铟-III-V半导体层的生长表面中的掺入，增加铟在V形凹坑侧壁中的掺入。

5.根据权利要求4所述的方法，其中增加铟在V形凹坑侧壁中的掺入包括如下的至少一者：降低室温、增加室压和增加铟分压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成具有减小的V形凹坑密度的铟-III-V半导体层还包括相对于总的III族分压，增加在加工室中的铟分压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成具有减小的V形凹坑密度的铟-III-V半导体层包括形成氮化铟镓InGaN层。

8.根据权利要求1所述的方法，其还包括选择V族元素前体以包括氨。

9.根据权利要求1所述的方法，其还包括选择铟前体以包括三甲基铟。

10.根据权利要求1所述的方法，其还包括选择III族元素前体以包括三乙基镓。

11.一种通过前述权利要求中的一项所述的方法而获得的半导体结构，所述结构包括：

基材；

在所述基材上形成的III-V半导体层；

铟固相浓度大于来自铟饱和区域的铟固相浓度的InGaN层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述InGaN层包括6％至9％之间的铟浓度。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述InGaN层包括至少150nm的总厚度。

14.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述InGaN层还包括大于临界厚度的厚度。