[发明专利]一种使纳米银线透明导电膜具有消影功能的方法

说明书

本发明公开了一种使纳米银线透明导电膜具有消影功能的方法，其是在基材与纳米银线透明导电层之间设置功能层；功能层由功能层浆料涂布在基材表面并成膜而获得，功能层与纳米银线透明导电层的雾度差小于0.1，以达到消影的目的。本发明通过在基材与导电层之间添加功能层的方式，使纳米银线透明导电膜具有消影功能，电极区与非电极区边缘刻蚀痕完全消失，方法简单、操作方便，具有高良率、高可靠度的优势，适合工业化生产，且本发明的方法具有普适性。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种使纳米银线透明导电膜具有消影功能的方法，该方法制备的纳米银线透明导电膜特别适合用在光学玻璃、透明柔性基材和太阳能面板上。

背景技术

透明导电膜是显示领域的重要光学器件，目前ITO透明导电膜应用最广泛。但ITO透明导电膜具有弯曲性能差无法用于高柔性设备、方阻高无法制备高灵敏度的大尺寸显示设备、薄膜制备真空溅射工艺复杂等缺点，所以近年来相关科研工作人员相继开发了纳米金属导电膜、碳纳米管导电膜、石墨烯薄膜等替代ITO透明导电膜的新型透明导电膜，其中纳米银线透明导电膜由于性能优异、成本低廉、制备工艺简单成为ITO导电膜最有效的替代材料。

纳米银线透明导电膜是将纳米银线与成膜剂、分散剂、溶剂混合成纳米银线导电墨水，将该墨水经涂布工艺在基材(如PET、PE、PP、PC、PI、PVC或PS，宽度为500nm-2000mm、雾度小于5、透光率大于85％、表面达因值为30-45达因)上成膜，形成纳米银线导电层而获得。纳米银线透明导电膜作为应用在显示器、触摸屏、薄膜太阳能电池等领域的重要光学器件，通常需要进行图案化处理，目前图案化工艺主要有激光刻蚀、曝光显影、丝网印刷三种，其中曝光显影具有效率高、良率高、成本低等优势成为最主要的图案化方案。图案化将透明导电膜分为电极区和非电极区两个部分，并且这两个部分之间存在雾度差，导致肉眼可观察到电极区边缘，如果将此透明导电膜直接应用在显示屏中，会降低触摸屏视觉效果，因此需要对该透明导电膜进行消影处理，消除电极区边缘的肉眼可见性。

专利CN 103258596 A提出了一种纳米导电膜消影的方法，该方法主要是在非电极区涂布填充液或利用刻蚀液对非电极区进行纳米金属氧化但不完全刻蚀掉非电极区的纳米金属，从而使非电极区和电极区的折射率、雾度、透射率均相近，最终使电极区边缘不易被人眼分辨；专利CN 104521005 A提出了一种利用非电极区在UV条件下产生酸将纳米银线氧化成弱导电性氧化纳米银线，然后将电极区的光产酸剂退火除去，从而使电极区和非电极区的折射率和雾度相近，达到消影目的；专利CN 103215592B和CN 106433647 A分别提出了一种利用在非电极区丝印刻蚀膏，使刻蚀膏和纳米银线迅速反应，然后水洗除去残留刻蚀膏得到低刻蚀痕的图案。以上四个专利的消影刻蚀均是使用半刻蚀方法，非电极区仍然残留有纳米金属离子，功能可靠性有待市场验证，同时蚀刻良率难以控制，蚀刻不全容易导致短路，功能失效，蚀刻过度会导致蚀刻痕出现，从而达不到消影目的；同时刻蚀膏需要丝网印刷，丝网印刷对细线径印刷精度较低。专利US 20150362822 A1提出了一种利用纳米ZnO涂布在银线层表面，通过纳米ZnO的高透光率和低漫反射，提高电极区的透光率和降低电极区的雾度，从而降低电极区和非电极区的对比度以此达到消影的目的，但是此方法无法将电极区的光学性能提高到和基材相近，所以该方法只能降低对比度，而无法达到彻底消除刻蚀痕的目的；

因此，针对纳米银线透明导电膜刻蚀痕严重的问题，急需一种高良率、高可靠度、操作简单、适合工业化生产，且不需要客户端更改制程的具有消影功能的纳米银线透明导电膜。

发明内容

为了避免上述现有技术的不足之处，本发明旨在提供一种具有普适性的使纳米银线透明导电膜具有消影功能的方法，同时使其具有高良率、高可靠度、操作简单、适合工业化生产的优势。

为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

本发明使纳米银线透明导电膜具有消影功能的方法，其特点在于：是在基材与纳米银线透明导电层之间添加功能层；