[发明专利]一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法有效
| 申请号： | 201810163892.5 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108456926B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王东海;徐军;李纳;薛艳艳;罗平;王庆国;唐慧丽;吴锋 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/08;H01S3/067 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 包层 生长 纤纤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40-160mm的微孔晶体，微孔晶体内径小于等于1mm，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体；
(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上；
(3)坩埚内装入1-2g原料；
(4)升温熔化坩埚内的原料；
(5)籽晶杆上升，使微孔晶体接触坩埚底的小孔，坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内；
(6)控制后加热器的温度以100-300℃/h的降温速率降到室温，完成整个长晶过程。
2.根据权利要求1所述的一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，其特征在于，步骤(3)所用坩埚材质为铱、铂或铼。
3.根据权利要求1所述的一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，其特征在于，步骤(3)所述的坩埚内的原料和微孔晶体基质相同并掺杂了0.05％-50％原子浓度的稀土离子。
4.根据权利要求1所述的一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，其特征在于，所述的后加热器的长度40-160mm。
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