[发明专利]一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述量子点扩散膜包括量子点基材层和扩散层，所述的扩散层涂布于量子点基材层的上下表面；所述量子点基材层为单层膜结构。

2.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述量子点基材层包括胶黏剂、量子点和无机粒子。

3.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述量子点基材层包括100重量份的胶黏剂，8-14重量份的量子点，1-5重量份的气相二氧化硅粒子，5-10重量份的二氧化钛粒子和10-20重量份的大粒径二氧化硅粒子。

4.根据权利要求2所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述量子点包括红色量子点和绿色量子点。

5.根据权利要求4所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述红色量子点和绿色量子点的重量比为2-5：6-9。

6.根据权利要求3所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述量子点基材层中的气相二氧化硅粒子的粒径为10～20nm。

7.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述的扩散层包括100重量份的丙烯酸类胶黏剂，5-20重量份的无机扩散粒子和40-80重量份的有机扩散粒子。

8.根据权利要求7所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜，其特征在于，所述扩散层中的有机扩散粒子的粒径为10-30μm，所述无机扩散粒子的粒径为0.01-5μm。

9.一种根据权利要求1-8中任一项所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜的应用，其特征在于，所述量子点扩散膜应用于直下式或侧入式背光模组中。

10.一种制备权利要求1-8中任一项所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：

(1)将气相二氧化硅粒子、二氧化钛粒子和大粒径二氧化硅粒子加入胶黏剂中高速搅拌30min，得到粒子的预分散液；

(2)将红、绿量子点加入到上述粒子的预分散液中高速搅拌30min，得到量子点涂布液；

(3)利用狭缝式模头挤出(slot die)自动涂布机涂布，将量子点涂布液涂布于离型膜的离型面，经狭缝挤压与另一张离型膜的离型面贴合，经紫外线光固化设备固化得到三层膜贴合的量子点复合膜；

(4)将两张离型膜剥离，经收卷装置得到固化的量子点胶层，该胶层即为量子点基材层；

(5)将无机扩散粒子、有机扩散粒子和丙烯酸类胶黏剂混合搅拌，得到扩散层涂布液；

(6)将扩散层涂布液均匀涂布在量子点基材层的上下表面，经紫外光固化后形成扩散层；

(7)将双面涂布的膜片放入烘箱中熟化，得到量子点扩散膜成品。