[发明专利]MEMS装置封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810165432.6 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN109399550B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 陈建桦;孔政渊;黄哲豪;郭进成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: mems 装置 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

一种微机电系统MEMS装置封装包含第一电路层、分隔壁、MEMS组件、第二电路层和聚合性电介质层。所述分隔壁安置在所述第一电路层上。所述MEMS组件安置于所述分隔壁上,且电连接到所述第一电路层。所述第一电路层、所述分隔壁和所述MEMS组件围封一空间。所述第二电路层安置于所述第一电路层之上,且电连接到所述第一电路层。所述聚合性电介质层安置于所述第一电路层与所述第二电路层之间。

技术领域

发明涉及一种微机电系统(MEMS)装置封装及其制造方法,且更确切地说,涉及一种具有供MEMS组件操作的空间的MEMS装置封装及其制造方法。

背景技术

例如表面声波(SAW)滤波器组件等MEMS组件指定密封空间来减少来自环境的声波干扰。然而,密封空间的形成是复杂且昂贵的。

发明内容

在一些实施例中,一种MEMS装置封装包含第一电路层、分隔壁、MEMS组件、第二电路层和聚合性电介质层。分隔壁安置于第一电路层之上。MEMS组件安置在分隔壁之上,且电连接到第一电路层。第一电路层、分隔壁和MEMS组件围封一空间。第二电路层安置在第一电路层之上,且电连接到第一电路层。聚合性电介质层安置于第一电路层与第二电路层之间。

在一些实施例中,MEMS装置封装包含第一电路层、MEMS组件、分隔壁和聚合性电介质层。MEMS组件安置在第一电路层之上。第一电路层和MEMS组件在两者之间限定一空间。分隔壁安置在第一电路层之上,且邻近于MEMS组件。聚合性电介质层安置在第一电路层之上,且通过分隔壁与所述空间分开。

在一些实施例中,一种用于制造MEMS装置封装的方法包含以下操作。第一电路层形成于载体之上。分隔壁和多个导电支柱形成于第一电路层之上。MEMS组件安置在分隔壁和导电支柱之上,其中MEMS组件的外围由分隔壁支撑,以便限定MEMS组件与第一电路层之间的空间。MEMS组件通过导电支柱电连接到第一电路层。聚合性电介质层形成于第一电路层之上,其中通过分隔壁来限制所述聚合性电介质层进入所述空间。将载体从第一电路层释放。

附图说明

当结合附图阅读时,从以下具体实施方式最好地理解本发明的一些实施例的方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图;

图2A说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图2B说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图2C说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图2D说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图3说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图;

图4A说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图4B说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图4C说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图4D说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图5说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图;

图6A说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

图6B说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;

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