[发明专利]MEMS装置封装及其制造方法有效
申请号: | 201810165432.6 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN109399550B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 陈建桦;孔政渊;黄哲豪;郭进成 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | mems 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
一种微机电系统MEMS装置封装包含第一电路层、分隔壁、MEMS组件、第二电路层和聚合性电介质层。所述分隔壁安置在所述第一电路层上。所述MEMS组件安置于所述分隔壁上,且电连接到所述第一电路层。所述第一电路层、所述分隔壁和所述MEMS组件围封一空间。所述第二电路层安置于所述第一电路层之上,且电连接到所述第一电路层。所述聚合性电介质层安置于所述第一电路层与所述第二电路层之间。
技术领域
本发明涉及一种微机电系统(MEMS)装置封装及其制造方法,且更确切地说,涉及一种具有供MEMS组件操作的空间的MEMS装置封装及其制造方法。
背景技术
例如表面声波(SAW)滤波器组件等MEMS组件指定密封空间来减少来自环境的声波干扰。然而,密封空间的形成是复杂且昂贵的。
发明内容
在一些实施例中,一种MEMS装置封装包含第一电路层、分隔壁、MEMS组件、第二电路层和聚合性电介质层。分隔壁安置于第一电路层之上。MEMS组件安置在分隔壁之上,且电连接到第一电路层。第一电路层、分隔壁和MEMS组件围封一空间。第二电路层安置在第一电路层之上,且电连接到第一电路层。聚合性电介质层安置于第一电路层与第二电路层之间。
在一些实施例中,MEMS装置封装包含第一电路层、MEMS组件、分隔壁和聚合性电介质层。MEMS组件安置在第一电路层之上。第一电路层和MEMS组件在两者之间限定一空间。分隔壁安置在第一电路层之上,且邻近于MEMS组件。聚合性电介质层安置在第一电路层之上,且通过分隔壁与所述空间分开。
在一些实施例中,一种用于制造MEMS装置封装的方法包含以下操作。第一电路层形成于载体之上。分隔壁和多个导电支柱形成于第一电路层之上。MEMS组件安置在分隔壁和导电支柱之上,其中MEMS组件的外围由分隔壁支撑,以便限定MEMS组件与第一电路层之间的空间。MEMS组件通过导电支柱电连接到第一电路层。聚合性电介质层形成于第一电路层之上,其中通过分隔壁来限制所述聚合性电介质层进入所述空间。将载体从第一电路层释放。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下具体实施方式最好地理解本发明的一些实施例的方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。
图1说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图;
图2A说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图2B说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图2C说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图2D说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图3说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图;
图4A说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图4B说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图4C说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图4D说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图5说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图;
图6A说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
图6B说明根据本发明的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810165432.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种微机械静电驱动的直线型梳齿结构
- 下一篇:圆片级封装结构及封装方法