[发明专利]一种电平转换电路及装置在审

专利信息
申请号: 201810166275.0 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN108449081A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 杨金达;周立人 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 耦合电路 开关三极管 第一开关 第一端 三极管 电平转换电路 电压偏置电路 第二信号 偏置电压 参考电压 电路 转换
【说明书】:

发明提供一种电平转换电路及装置,用于提高电平转换电路的转换速度。该电路包括:第一电压偏置电路,第一开关三极管,第二开关三极管,第二电压偏置电路,第一信号耦合电路和第二信号耦合电路;所述第一偏置电压被提供给所述第一开关三极管的栅极及所述第一信号耦合电路的第一端;所述第一开关三极管的第一端与第二参考电压连接;所述第二电压偏置电路用于产生第二偏置电压,所述第二偏置电压被提供给所述第二开关三极管的栅极及所述第二信号耦合电路的第二端;所述第一开关三极管的第二端和所述第二开关三极管的第一端连接;所述第一信号耦合电路的第二端和第二信号耦合电路的第一端连接。所述第二开关三极管的第二端接第四参考电压。

技术领域

本发明涉及电路领域,尤其涉及一种电平转换电路及装置。

背景技术

在流水线型模数转换器中,通常应用到电平转换电路,用于实现高低电平信号的转换,而随着对流水线型模数转换器的速度指标的要求越来越高,加快电平转换电路的速度也成了提高流水线型模数转换器的速度的手段之一。

在现有技术中,采用的电平转换电路如图1所示,包括PMOS(P-Mental-Oxide-Semiconductor,P型金属-氧化物-半导体)管T1,PMOS管T2,NMOS(N-Mental-Oxide-Semiconductor,N型金属-氧化物-半导体)管T3,NMOS管T4及反相器,其中,T1的源极与T2的源极均与电源正极AVDD连接,T1的漏极与T2的栅极连接,T1的栅极与T2的漏极连接,T3的栅极与方波产生电路的输出端clk连接,T3的源极与T4的源极连接并接地,T3的漏极与T1的漏极连接;T4的栅极通过反相器与T3的栅极连接,T4的漏极与T2的漏极连接,并作为电平转换电路的输出端clkout与负载连接。具体的工作原理为:假设AVDD的值为2V,方波产生电路输出的信号的最低电压值为0V,最高电压值为1V,则当clk=0V时,则T3的栅极电压为0V,T3截止,而T4的栅极电压通过反相器转换为1V,则T4导通,此时clkout=0V,此时由于T1的栅极电压小于源极电压,则T1导通,T2的栅极电压为AVDD=2V,则T2截止;当clk=1V时,由于T3的栅极电压大于源极电压,则T3导通,T4截止,T3的漏极电压与T2的栅极电压为0,由于T2的栅极电压小于源极电压,则T2导通,此时clkout=AVDD=2V,而T1截止,从而完成电平信号的转换。

但在上述实现过程中,在clk从零变为最高电压时,T1、T2和T3之间状态改变的先后顺序是:先T3导通,然后T2才能导通,最后T1从导通变为截止。也就是说,在T3从截止变为导通的过程中,存在T3和T1同时导通的状态,所以T3的漏极电压不能立即变为0V,而是从AVDD的一个中间值逐渐变为0V,这样会导致T2的导通速度变慢,进而导致clkout从零变为AVDD的速度变慢,即降低了电平转换电路的转换速度。

发明内容

本发明的实施例提供一种电平转换电路及装置,用于提高电平转换电路的转换速度。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

本发明提供一种转换电路,包括:第一电压偏置电路,第一开关三极管,第二开关三极管,第二电压偏置电路,第一信号耦合电路和第二信号耦合电路;所述第一电压偏置电路用于产生第一偏置电压,所述第一偏置电压被提供给所述第一开关三极管的栅极及所述第一信号耦合电路的第一端;所述第一开关三极管的第一端与第二参考电压连接;所述第二电压偏置电路用于产生第二偏置电压,所述第二偏置电压被提供给所述第二开关三极管的栅极及所述第二信号耦合电路的第二端;所述第一开关三极管的第二端和所述第二开关三极管的第一端连接;所述第一信号耦合电路的第二端和第二信号耦合电路的第一端连接,并接输入电压;所述第二开关三极管的第二端接第四参考电压。

在可选的技术方案中,所述第一电压偏置电路包括第一等效二极管,所述第一等效二极管基于第一参考电压生成所述第一偏置电压。

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