[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法在审
申请号: | 201810166661.X | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN108305784A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 具贤熙;朴明俊;李圭夏;崔多荣;朴财莹;权祥勋;全炳俊 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 何巨;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外电极 内电极 多层陶瓷电子元件 覆盖层 活性层 陶瓷体 电容形成部 导电金属 介电层 玻璃 占据 电连接 上表面 下表面 与非 制造 陶瓷 体内 | ||
本发明提供了一种多层陶瓷电子元件及其制造方法,该多层陶瓷电子元件包括:陶瓷体,该陶瓷体包括介电层;多个内电极,该多个内电极在陶瓷体内相互相对地设置,并且使介电层插入内电极之间;以及外电极,该外电极与多个内电极电连接,其中,陶瓷体包括活性层和覆盖层,该活性层与电容形成部相对应,该覆盖层形成在活性层的上表面和下表面中的至少一者上并且与非电容形成部相对应,覆盖层C的平均厚度为小于或等于15μm,外电极包括导电金属和玻璃,并且当外电极被玻璃占据的面积为A,外电极被导电金属占据的面积为B时,满足0.05≤A/B≤0.6。
本申请是申请日为2012年9月28日,申请号为201210370817.9,题为“多层陶瓷电子元件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种陶瓷电子元件,该陶瓷电子元件通过防止电镀液渗入其中而具有增强的可靠性。
背景技术
由于目前电子产品小型化的趋势,对于具有大容量的小型多层陶瓷电子元件的需要已经开始增长。
根据对于具有大容量的小型多层陶瓷电子元件的需要,该多层陶瓷电子元件的外电极也变得更薄。
外电极糊包括例如铜(Cu)等导体金属作为主要材料,以确保基片(chip)的密封性以及外电极与基片之间的导电性,该外电极糊还包括玻璃作为辅助材料来提供外电极和基片之间的粘附,同时填充由于金属烧结收缩而产生的空隙。
可是,当外电极糊中的玻璃含量不足时,基片密封性可能会存在问题。当增加过量的玻璃以提高基片的密封性时,由于在烧结后玻璃的洗脱到表面,可能会出现例如镀层缺陷等问题。
具体地,根据外电极的厚度,很难实现想要达到的紧密度等级,并且由于玻璃的高温性能特性,由玻璃的不足或过量而导致缺陷的可能性增加。
此外,在外电极的形状不规则的情况下,电镀液穿过外电极的薄的部分渗入到外电极中的可能性显著的增加,因此可能就无法确保可靠性。
相关技术文件
(专利文件1)日本专利公开号No.2000-077258
(专利文件2)日本专利公开号No.2003-323817
发明内容
本发明的一个方面通过防止电镀液的渗透,而提供具有改善的可靠性的多层陶瓷电子元件。
根据本发明的另一个方面,提供了一种多层陶瓷电子元件,该多层陶瓷电子元件包括:陶瓷体,该陶瓷体包括介电层;多个内电极,该多个内电极相互相对地设置在陶瓷体内并使介电层插入内电极之间;以及外电极,该外电极与多个内电极电连接,其中,陶瓷体包括活性层和覆盖层,该活性层与电容形成部相对应,该覆盖层形成在活性层的上表面和下表面中的至少一者上并且与非电容形成部相对应,在陶瓷体的沿宽度(W)方向的中间部分截取的沿长度和厚度(L-T)方向的横截面中,覆盖层C的平均厚度为小于或等于15μm,外电极包括导电金属和玻璃,并且当外电极被玻璃占据的面积为A,外电极被导电金属占据的面积为B时,满足0.05≤A/B≤0.6。
并且,当在陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的外电极的厚度为Tc,在沿厚度方向与电容形成部的中间部分相距离陶瓷体的长度的25%的点处的外电极的厚度为T1时,可以满足T1/Tc≥0.8。
并且,当在陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的外电极的厚度为Tc,在形成有多个内电极的电容形成部的最外侧点的外电极的厚度为T2时,可以满足T2/Tc≥0.5。
玻璃的体积含量可以是导电金属的30%至200%。
导电金属可以是选自由铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)和银-钯(Ag-Pd)组成的组中的至少一者。
玻璃可以具有绝缘性。
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