[发明专利]GaN基器件欧姆接触电极的制备方法

权利要求书

1.一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在器件的上表面生长第一介质层；

步骤S2：在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和铟离子；

步骤S3：在所述第一介质层的上表面生长第二介质层；

步骤S4：通过高温退火工艺激活所述硅离子和所述铟离子，形成N型重掺杂；

步骤S5：分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；

步骤S6：在所述器件的所述欧姆接触电极区的上表面生长金属层，所述金属层不需要经过高温退火工艺形成欧姆接触电极。

2.如权利要求1所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下步骤：

步骤S21：在所述第一介质层与第一区域对应的部分的上表面涂覆第一光刻胶层，其中，所述第一区域为所述器件除所述欧姆接触电极区以外的区域；

步骤S22：通过离子注入法注入所述硅离子和所述铟离子；

步骤S23：去除所述第一光刻胶层。

3.如权利要求1所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S3和步骤S4具体包括以下步骤：

步骤S31：在所述第二介质层与第一区域对应的部分的上表面涂覆第二光刻胶层，其中，所述第一区域为所述器件除所述欧姆接触电极区以外的区域；

步骤S32：通过干法刻蚀工艺分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；

步骤S33：通过电子束蒸发工艺在所述器件的上表面蒸发所述金属层；

步骤S34：去除所述第二光刻胶层。

4.如权利要求1所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述第一介质层为SiN层或SiO2层；所述第一介质层的厚度为10纳米至50纳米。

5.如权利要求1所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述第二介质层为SiN层或AlN层；所述第二介质层的厚度为10纳米至200纳米。

6.如权利要求1所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述硅离子的注入能量为30keV至200keV，注入剂量为10¹⁴cm^-2至10¹⁶cm^-2；所述铟离子的注入能量为30keV至200keV，注入剂量为10¹³cm-2至10¹⁶cm^-2。

7.如权利要求1所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述金属层包括Ti/Au层、Ti/Pt/Au层、Ti/Al层或Ti/Al/Ni/Au层。

8.如权利要求1所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述硅离子和铟离子的注入深度为80纳米至120纳米。

9.如权利要求1至8任一项所述的GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述高温退火工艺的工艺条件为：退火温度为850℃至1400℃，时间为10分钟至60分钟。