[发明专利]半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，包括：

获取半导体芯片本体；

在所述半导体芯片本体第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点的边缘区域；

在所述第一SiN层的上表面形成有机聚合物层；所述有机聚合物层的材质为聚酰亚胺、多氯化联二苯或聚对苯撑苯并二噁唑；

在所述有机聚合物层的上表面和侧壁形成第二SiN层；其中，所述第一SiN层和所述第二SiN层完全包裹所述有机聚合物层；所述第一SiN层的厚度为300纳米至800纳米；所述第二SiN层的厚度为300纳米至800纳米。

2.如权利要求1所述的半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体芯片本体第一区域的上表面形成第一SiN层，包括：

在所述半导体芯片的上表面形成第一SiN层；

通过光刻工艺在所述第一SiN层与所述第一区域对应的部分的上表面涂覆第一光刻胶层；

通过刻蚀工艺刻蚀所述第一SiN层；

去除所述第一光刻胶层。

3.如权利要求1所述的半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物层对应的有机聚合物为非光敏材料；所述在所述第一SiN层的上表面形成有机聚合物层，包括：

在形成所述第一SiN层后的所述半导体芯片的上表面涂覆有机聚合物层；

通过光刻工艺在所述有机聚合物层与所述第一区域对应的部分的上表面涂覆第二光刻胶层；

通过刻蚀工艺刻蚀所述有机聚合物层；

去除所述第二光刻胶层。

4.如权利要求1所述的半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物层对应的有机聚合物为光敏材料；所述在所述第一SiN层的上表面形成有机聚合物层，包括：

在形成第一SiN层后的所述半导体芯片的上表面涂覆有机聚合物层；

依次通过曝光、显影、坚膜，去除与除所述第一区域以外区域对应的有机聚合物层。

5.如权利要求1所述的半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，所述在所述有机聚合物层的上表面形成第二SiN层，包括：

在形成有机聚合物层后的所述半导体芯片的上表面形成第二SiN层；

通过光刻工艺在所述第二SiN层与所述第一区域对应的部分的上表面覆盖第三光刻胶层；

通过刻蚀工艺刻蚀所述第二SiN层；

去除所述第三光刻胶层。

6.如权利要求1所述的半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物层的厚度为3微米至5微米。

7.如权利要求1所述的半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物层的相对介电常数为2.7至3.0。

8.如权利要求1至7任一项所述的半导体芯片保护层的制备方法，其特征在于，分别通过等离子体增强化学气相沉积法生长所述第一SiN层和所述第二SiN层。

9.一种半导体芯片，包括半导体芯片本体，其特征在于，所述半导体芯片本体第一区域的上表面设有第一SiN层，所述第一SiN层的上表面设有机聚合物层，所述有机聚合物层的上表面和侧壁均设有第二SiN层；其中，所述第一SiN层和所述第二SiN层完全包裹所述有机聚合物层；所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点的边缘区域；

所述有机聚合物层的材质为聚酰亚胺、多氯化联二苯或聚对苯撑苯并二噁唑；

所述第一SiN层的厚度为300纳米至800纳米；所述第二SiN层的厚度为300纳米至800纳米。