[发明专利]AMOLED像素驱动电路及驱动方法有效
| 申请号： | 201810167440.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108335671B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3233 | 分类号： | G09G3/3233;G09G3/3266 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有机发光二极管 电性连接 电容 漏极 源极 阳极 电源信号 扫描信号 栅极接入 驱动薄膜晶体管 阴极 接入数据信号 亮度均匀 显示效果 有效补偿 栅极电性 阈值电压 驱动 第一端 发光 保证 | ||
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C1)及有机发光二极管(D1)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入第一扫描信号(SCAN1)，源极接入数据信号(DATA)，漏极电性连接电容(C1)的第一端；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二扫描信号(SCAN2)，源极电性连接电容(C1)的第二端，漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接电容(C1)的第二端，源极接入第一电源信号(VDD)，漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极；
所述有机发光二极管(D1)的阴极接入第二电源信号(VSS)；
所述第一扫描信号(SCAN1)、第二扫描信号(SCAN2)、第一电源信号(VDD)以及数据信号(DATA)相组合先后对应一初始化阶段(10)、一阈值电压补偿阶段(20)、一充电阶段(30)及一发光阶段(40)；
在初始化阶段(10)，所述第一扫描信号(SCAN1)为低电位，所述第二扫描信号(SCAN2)为低电位，所述第一电源信号(VDD)为第二电源电位(VDDL)，所述数据信号(DATA)为第一参考电位(Vref1)；
在阈值电压补偿阶段(20)，所述第一扫描信号(SCAN1)为低电位，所述第二扫描信号(SCAN2)为低电位，所述第一电源信号(VDD)为第二电源电位(VDDL)，所述数据信号(DATA)为第二参考电位(Vref2)；
在充电阶段(30)，所述第一扫描信号(SCAN1)为低电位，所述第二扫描信号(SCAN2)为高电位，所述第一电源信号(VDD)为第二电源电位(VDDL)，所述数据信号(DATA)为数据信号电位(VDATA)；
在发光阶段(40)，所述第一扫描信号(SCAN1)为高电位，所述第二扫描信号(SCAN2)为高电位，所述第一电源信号(VDD)为第一电源电位(VDDH)，所述数据信号(DATA)为第一参考电位(Vref1)。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)及第三薄膜晶体管(T3)均为P型薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一参考电位(Vref1)大于第二参考电位(Vref2)，所述第二参考电位(Vref2)大于数据信号电位(VDATA)，所述第一电源电位(VDDH)大于第二电源电位(VDDL)。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)及第三薄膜晶体管(T3)均为低温多晶硅薄膜晶体管。
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