[发明专利]发光二极管及显示屏

说明书

本发明涉及一种发光二极管及显示屏，该发光二极管包括衬底、阳极层、空穴层、量子点发光层和阴极层，空穴层设置在阳极层和量子点发光层之间，其中，空穴层包括第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层靠近所述量子点发光层一侧设置，在第一过渡层和第二过渡层之间设有第三过渡层，第三过渡层为体异质结层。上述由于第三过渡层为体异质结层，如此可在体异质结的界面处产生大量的高浓度的自由载流子，如此可提高空穴迁移率，可在一定程度上显著降低空穴传输层上对具体材料的依赖和电极功函数的要求。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及发光二极管及显示屏。

背景技术

量子点(Quantum Dot)发光二极管因其具有色域高、色纯高、使用寿命长、及可通过印刷工艺制备等优点而备受关注。

目前典型的量子点发光二极管的结构包括层叠设置的电子传输层、量子点发光层和空穴传输层，单一传输层材料受能级结构和载流子迁移率影响较大，限制发光二极管的性能。

发明内容

基于此，有必要针对以上技术问题，提供一种发光二极管及显示屏。

一种发光二极管，包括衬底和层叠设置在所述衬底上的阳极层、量子点发光层和阴极层，还包括空穴层，所述空穴层设置在所述阳极层和所述量子点发光层之间，

其中，所述空穴层包括第一过渡层和第二过渡层，所述第一过渡层靠近所述量子点发光层一侧设置，在所述第一过渡层和所述第二过渡层之间设有第三过渡层，所述第三过渡层为体异质结层。

上述发光二极管，由于第三过渡层为体异质结层，如此可在体异质结的界面处产生大量的高浓度的自由载流子，如此可提高空穴迁移率，可在一定程度上显著降低空穴传输层上对具体材料的依赖和电极功函数的要求。同时，还可改善载流子中空穴和电子的传输不平衡，提升发光二极管的发光效率和寿命。

在其中一个实施例中，所述第三过渡层中包括能够形成异质结的第一材料和第二材料。

在其中一个实施例中，所述第一材料和所述第二材料的质量比为(1:99)～(99:1)。

在其中一个实施例中，所述第一材料包括P型材料，所述第二材料包括N型材料，所述P型材料和/或所述N型材料为有机半导体材料。

在其中一个实施例中，所述第一过渡层中包括P型材料，所述第二过渡层中包括N型材料。

在其中一个实施例中，所述P型材料包括但不限于TAPC、NPB、m-MTDATA和TCTA中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述N型材料包括但不限于HAT-CN、Bphen、Bepp2和TPBi中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一过渡层和所述第二过渡层的厚度均小于所述第三过渡层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一过渡层的厚度为5～50nm，所述第二过渡层的厚度为5～50nm，所述第三过渡层的厚度为50～100nm。

在其中一个实施例中，所述发光二极管还包括电子传输层、电子注入层和空穴注入层中的至少一层。

本发明还提供一种显示屏，包括以上任一所述的发光二极管。

上述显示屏，由于发光二极管中的第三过渡层为体异质结层，如此可在体异质结的界面处产生大量的高浓度的自由载流子，如此可提高空穴迁移率，可在一定程度上显著降低空穴传输层上对具体材料的依赖和电极功函数的要求。同时，还可改善载流子中空穴和电子的传输不平衡，提升显示屏的发光效率和寿命。

附图说明

图1为本发明一实施方式的发光二极管的结构示意图；

图2为本发明另一实施方式的发光二极管的结构示意图。