[发明专利]GaN HEMT器件的通孔制备方法

权利要求书

1.一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，包括：

在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；

去除所述介质层与第一通孔区对应的部分，露出势垒层，形成一个第一通孔；

在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极；其中，所述源电极区包含所述第一通孔区；

依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；其中，所述第二通孔区包含所述第一通孔区；

在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层，所述第一金属层与所述正面源电极相连。

2.如权利要求1所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所述依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分，包括：

通过溅射工艺在所述SiC衬底的下表面溅射第一种子层；

通过电镀工艺在所述第一种子层的下表面与第一区域对应的部分电镀Ni金属层，所述第一区域为所述晶圆除所述第二通孔区以外的区域；

通过刻蚀工艺依次刻蚀所述第一种子层与所述第二通孔区对应的部分和所述SiC衬底与所述第二通孔区对应的部分；

通过湿法腐蚀工艺去除所述Ni金属层和剩余的所述第一种子层；

通过干法刻蚀工艺或湿法腐蚀工艺分别去除所述GaN外延层与第二通孔区对应部分和所述势垒层与所述第二通孔区对应的部分。

3.如权利要求2所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所述在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层，包括：

通过溅射工艺在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁溅射第二种子层；

通过电镀工艺在所述第二种子层的表面电镀Au金属层。

4.如权利要求3所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所述第一种子层和所述第二种子层均包括TiW层和所述TiW层下表面的Au层。

5.如权利要求1所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所述依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分之前，所述方法还包括：

将所述SiC衬底的厚度减薄至50微米至100微米。

6.如权利要求5所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所述将所述SiC衬底的厚度减薄至50微米至100微米之前，所述方法还包括：

将所述晶圆固定在载体上，其中，所述晶圆的正面与所述载体接触。

7.如权利要求2所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所述Ni金属层的厚度为3微米至10微米。

8.如权利要求1所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所述介质层为氮化硅层、二氧化硅层、氮氧化硅层或其中两种以上的组合形成的复合层。

9.如权利要求1至8所述的GaN HEMT器件的通孔制备方法，其特征在于，所介质层的厚度为100纳米至300纳米。