[发明专利]基板处理装置以及方法、紫外线照射单元的选择方法有效
申请号: | 201810168940.X | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108666236B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 田中孝佳 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;董雅会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 紫外线 照射 单元 选择 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
具有:
基板保持单元,保持基板;
多个紫外线照射单元,向被所述基板保持单元保持并形成有多个微细结构物的所述基板的所述微细结构物之间的间隙,以彼此不同的光谱照射紫外线;以及,
控制单元,控制所述多个紫外线照射单元,
所述控制单元控制所述多个紫外线照射单元,使得通过具有彼此不同的光谱,彼此补偿在所述间隙中强度不足的区域的强度不足的多个紫外线能够进入所述间隙。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个紫外线照射单元包括第一紫外线照射单元以及第二紫外线照射单元,
从所述第一紫外线照射单元输出的第一紫外线的强度,在所述微细结构物的所述间隙中在深度方向上以第一周期增减,
从所述第二紫外线照射单元输出的第二紫外线的强度,在所述微细结构物的所述间隙中在所述深度方向上以第二周期增减,
在第一区域内,所述第二紫外线的强度取峰值,所述第一区域为,以所述第一紫外线的强度取谷值时的所述深度方向的位置为中心,并且所述深度方向的宽度相当于所述第一周期的半个周期的区域。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个紫外线照射单元包括第三紫外线照射单元,
从所述第三紫外线照射单元输出的第三紫外线的强度,在所述微细结构物的所述间隙中在所述深度方向上以第三周期增减,
在第二区域与所述第一区域彼此重复的区域内,所述第二紫外线的强度取峰值,所述第二区域为,以所述第三紫外线的强度取谷值时的所述深度方向的位置为中心,并且所述深度方向的宽度相当于所述第三周期的半个周期的区域。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个紫外线照射单元为3个以上,
所述控制单元具有:
获取单元,获取根据所述微细结构物的所述间隙的宽度以及深度中的至少一个进行变化的信息;以及,
选择单元,基于所述信息进行选择动作,所述选择动作是,根据所述微细结构物的所述间隙的宽度以及所述深度中的至少一个,选择是否使所述多个紫外线照射单元中的两个以上的紫外线照射单元照射紫外线的动作。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述微细结构物的间隙越宽或者越浅,所述选择单元基于所述信息选择波长越短的紫外线照射单元。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个紫外线照射单元包括:
第一紫外线照射单元,以包括第一峰值波长的光谱照射第一紫外线;以及
第二紫外线照射单元,以包括第二峰值波长的光谱照射第二紫外线,所述第二峰值波长比所述第一峰值波长更长,
所述选择单元基于所述信息选择第一紫外线照射单元以及第二紫外线照射单元,
所述第一紫外线的强度在所述微细结构物的所述间隙中在深度方向上以第一周期增减,
在以所述第一紫外线的强度取谷值时的所述深度方向的位置为中心并且所述深度方向的宽度相当于所述第一周期的半个周期的区域内,所述第二紫外线的强度取峰值。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个紫外线照射单元包括第三紫外线照射单元,所述第三紫外线照射单元以包括第三峰值波长的光谱照射第三紫外线,所述第三峰值波长比所述第二峰值波长更长,
所述选择单元基于第一信息,选择所述第一紫外线照射单元以及所述第二紫外线照射单元,而不选择所述第三紫外线照射单元,
所述选择单元基于第二信息,选择所述第二紫外线照射单元以及所述第三紫外线照射单元,所述第二信息为,与所述第一信息相比,所述微细结构物的所述间隙更窄或更深的信息。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个紫外线照射单元所照射的紫外线的峰值波长越长,所述多个紫外线照射单元的各紫外线照射单元与所述基板保持单元之间的距离越短。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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