[发明专利]一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，包括p型硅衬底，p型硅衬底的表面具有间隔分布的凸齿结构和阳极；

还包括阴极和n型硫化镉纳米带，n型硫化镉纳米带的两端分别搭接凸齿结构和阴极，通过p型硅衬底与n型硫化镉纳米带复合形成p-n异质结。

2.如权利要求1所述的硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，所述的p型硅衬底为掺杂硅片，电阻率小于等于100 Ω•cm。

3.如权利要求1所述的硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，以ITO玻璃作为阴极，ITO玻璃电阻小于等于10000 Ω。

4.如权利要求3所述的硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，所述ITO玻璃与p型硅衬底的间距小于20 μm。

5.如权利要求1所述的硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，所述n型硫化镉纳米带为In掺杂的硫化镉纳米带。

6.如权利要求1所述的硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，所述的阳极为溅射在p型硅衬底上的Ti/Au合金电极。

7.如权利要求1所述的硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，所述p型硅衬底的表面一侧设有凸齿结构，另一侧镀ITO导电薄膜作为阴极。

8.一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管的制备方法，包括：

1）在p型硅衬底上刻蚀间隔分布的凸齿微纳结构，并溅射阳极电极；

2）将阴极与p型硅衬底贴近放置，通过微纳操作调控阴极与p型硅衬底的间距；

3）通过微纳操作将n型硫化镉纳米带横跨在凸齿微纳结构与阴极之间，通过范德华力形成稳定的接触，p型硅衬底与n型硫化镉纳米带复合形成p-n异质结。