[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供一种获得稳定的电特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：硅层，包含磷；嵌入层，设置在硅层上；积层体，设置在嵌入层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个电极层；半导体主体，在积层体内及嵌入层内沿积层体的积层方向延伸，且具有位于嵌入层的侧方的侧壁部；以及硅膜，设置在嵌入层与半导体主体的侧壁部之间，包含硅作为主成分，还包含锗及碳中的至少任一个。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2017-163616号(申请日：2017年8月28日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

已提出有如下构造的三维存储器，即，使贯通包含多个电极层的积层体的信道主体的侧壁部接触于设置在积层体之下的源极层。信道主体的侧壁部接触于包含在源极层的半导体层。该半导体层嵌入至去除牺牲层后所形成的空腔。

发明内容

实施方式提供一种获得稳定的电特性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：硅层，包含磷；嵌入层，设置在所述硅层上；积层体，设置在所述嵌入层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个电极层；半导体主体，在所述积层体内及所述嵌入层内沿所述积层体的积层方向延伸，且具有位于所述嵌入层的侧方的侧壁部；以及硅膜，设置在所述嵌入层与所述半导体主体的所述侧壁部之间，包含硅作为主成分，还包含锗及碳中的至少任一个。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的示意立体图。

图2是实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图3是图2中的A-A'剖视图。

图4是图3中的A部的放大图。

图5(a)及(b)是图3中的B部的放大图。

图6～图17是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的示意剖视图。

图18～20是第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图21是比较例的半导体装置的示意剖视图。

图22是第3实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图23(a)及(b)是图22中的C部的放大图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，各附图中，对相同的要素标注相同的符号。

在实施方式中，作为半导体装置，例如，对具有三维构造的存储单元阵列的半导体存储装置进行说明。

图1是实施方式的存储单元阵列1的示意立体图。

图2是存储单元阵列1的示意俯视图。

图3是图2中的A-A'剖视图。

在图1中，将相对于衬底10的主面平行的方向且相互正交的两个方向设为X方向及Y方向，将相对于X方向及Y方向这两个方向正交的方向设为Z方向(积层方向)。其它图中的X方向、Y方向及Z方向分别与图1的X方向、Y方向及Z方向对应。

存储单元阵列1具有源极层SL、设置在源极层SL上的积层体100、多个柱状部CL、多个分离部60以及设置在积层体100上方的多条位线BL。

源极层SL隔着绝缘层41而设置在衬底10上。衬底10例如为硅衬底。在源极层SL与积层体100之间，设置着栅极层15。