[发明专利]MEMS设备、声换能器、形成MEMS设备的方法以及操作MEMS设备的方法

权利要求书

1.一种电容式MEMS设备，包括：

第一电极结构，包括第一导电层；

第二电极结构，包括第二导电层，其中所述第二导电层至少部分地与所述第一导电层相对；

多个间隙，位于所述第二导电层中，每个间隙提供所述第二导电层的两个相邻部分之间的电隔离；以及

非导电连接结构，具有用于机械地连接所述第二导电层的相邻部分的隔离材料，使得所述第一电极结构的第一部分和所述第二电极结构的位于中心的第一部分形成有源电容C_ACTTVE，所述第一电极结构的第二部分和所述第二电极结构的位于边缘的第二部分形成寄生电容C_PAP，并且所述间隙和所述相邻部分形成耦合电容C_mSEG，其中m表示间隙的数目，并且使得所述电容式MEMS设备的转印因子f_TF适用以下公式：

2.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙以彼此等距的配置布置在所述第二导电层中。

3.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层中的所述间隙布置在所述第二导电层的分段区域中，并且其中所述分段区域仅形成在所述第二导电层的圆周、边界区域中。

4.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙均具有100至1000nm之间的宽度。

5.根据权利要求3所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层在所述分段区域中具有厚度D₁，并且其中所述间隙具有D₁/2和2*D₁之间的宽度W。

6.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙完全填充有所述非导电连接结构的隔离材料。

7.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述非导电连接结构具有100至1000nm之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙在所述第二导电层的第一部分、第二部分和第三部分之间提供电隔离，并且其中所述第一部分是所述第二导电层的中心部分，所述第二部分是所述第二导电层的边界部分，并且所述第三部分是所述第二导电层的位于所述第二导电层的第一部分和第二部分之间的中间部分。

9.根据权利要求8所述的电容式MEMS设备，还包括间隔件，其中所述间隔件位于所述第二导电层的第二部分与所述第一导电层之间。

10.根据权利要求8所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层的第一部分形成所述第二电极结构的可偏移区域。

11.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第二电极结构包括多分段，并且其中所述多分段包括双分段，所述双分段具有两个间隙以及所述第二导电层的位于所述第二导电层的第一部分和第二部分之间的一个中间部分。

12.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第二电极结构包括多分段，其中所述多分段包括三分段，所述三分段具有两个相邻中间部分，并且其中所述三分段具有三个间隙。

13.根据权利要求12所述的电容式MEMS设备，其中所述三分段在所述第二导电层的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分之间提供电隔离，并且其中所述第一部分是所述第一导电层的中心部分，所述第二部分是所述第二导电层的边界部分，并且所述第三部分和所述第四部分是所述第二导电层的位于所述第二导电层的第一部分和第二部分之间的相邻中间部分。

14.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第二电极结构包括多分段，其中所述多分段包括四分段，所述四分段具有所述第二导电层的三个相邻中间部分，并且其中所述四分段具有四个间隙。