[发明专利]半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201810171607.4 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538824B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 折笠诚;清家英之;堀川雄平;阿部寿之 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体芯片的制造方法，其中，
所述半导体芯片具有基板、形成于所述基板上的导电部和形成于所述导电部的微凸起，
所述半导体芯片的制造方法具备加热工序：对配置有所述半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以所述微凸起的熔点以上的温度进行加热，
在所述加热工序中，在所述微凸起上载置有压力赋予部件，所述压力赋予部件仅以自身的自重赋予压力，
在所述加热工序之后，从所述微凸起上除去所述压力赋予部件。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，
作为所述还原性气体，应用羧酸。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，
所述压力赋予部件的重量为，每单位所述微凸起的截面积为0.0005μg/μm2以上且0.1μg/μm2以下。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在所述基板上配置具有一定厚度的衬垫，所述压力赋予部件被压入至与所述衬垫接触。
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