[发明专利]一种像素驱动电路、AMOLED显示屏及电子设备有效
申请号: | 201810171810.1 | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN108470545B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 宋烨 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 驱动 电路 amoled 显示屏 电子设备 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:若干个依次连接的GIP驱动单元,以及若干个分离器单元,且每个所述GIP驱动单元对应一个所述分离器单元;
所述分离器单元包括一个输入端及若干个输出端;所述分离器单元的输入端连接对应的所述GIP驱动单元的输出端;所述分离器单元的每个输出端连接一行像素的输入端,以向所述一行像素的输入端输入驱动信号;
所述分离器单元还包括若干个分离子单元;每个所述分离子单元对应连接一时钟信号线;所述若干个分离子单元的输入端连接一起,作为所述分离器单元的输入端;每个所述分离子单元的输出端,作为所述分离器单元的一个输出端;
所述分离子单元包括反相器、第一TFT管及第二TFT管;所述反相器的第一端连接对应的所述时钟信号线,第二端连接第一电平线,第三端连接第二电平线,第四端连接所述第二TFT管的栅极;所述第二TFT管的源极连接所述第一电平线,所述第二TFT管的漏极连接所述第一TFT管的漏极及所述分离子单元的输出端;所述第一TFT管的栅极连接对应的所述时钟信号线,所述第一TFT管的源极连接所述分离子单元的输入端。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述分离器单元包括2或3个分离子单元。
3.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述反相器为PMOS反相器。
4.根据权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述PMOS反相器包括第三TFT管及一电阻;
所述第三TFT管的栅极作为所述反相器的第一端,所述第三TFT管的源极作为所述反相器的第二端,所述电阻的一端作为所述反相器的第三端,所述电阻的另一端与所述第三TFT管的漏极连接后作为所述反相器的第四端。
5.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述GIP驱动单元包括第四TFT管至第十一TFT管、第一电容至第三电容及另一电阻;
所述第四TFT管的栅极分别连接所述第五TFT管的栅极、第七TFT管的漏极、所述第九TFT管的漏极及所述第一电容的一端;所述第四TFT管的源极、所述第五TFT管的源极、所述第七TFT管的源极及所述第一电容的另一端均连接第一电平端;所述第四TFT管的漏极连接所述GIP驱动单元的输出端;所述第五TFT管的漏极分别连接第六TFT管的栅极、所述第七TFT管的栅极、所述第八TFT管的漏极及所述第二电容的一端;所述第六TFT管的源极连接所述GIP驱动单元的输出端;所述第六TFT管的漏极及所述第二电容的另一端连接第二电平端;所述第八TFT管的栅极分别连接第十一TFT管的漏极及所述第三电容的一端,所述第三电容的另一端连接所述第二电平端;所述第九TFT管的源极、所述第十一TFT管的栅极均连接第一时钟信号线,所述八TFT管的源极连接第二时钟信号线;所述第九TFT管的栅极连接第十TFT管的漏极及所述电阻的一端,所述电阻的另一端连接所述第二电平端;所述第十TFT管的源极连接所述第一电平端,所述第十TFT管的栅极连接所述GIP驱动单元的输入端及所述第十一TFT管的源极。
6.根据权利要求4或5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述电阻采用P型Si衬底结构。
7.一种AMOLED显示屏,其特征在于,包括如权利要求1至5中任意一项所述的像素驱动电路。
8.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求7所述的AMOLED显示屏。
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