[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201810172472.3 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN108417582B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 津野仁志;永泽耕一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84;H05B33/10;H05B33/22;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,依次包括:
基板;
半导体层;
第一绝缘膜;
第一金属膜;
第二绝缘膜;
第二金属膜;
第三绝缘膜;以及
第三金属膜;
其中,像素电路区域包括:
第一部分,对应于所述半导体层的第一部分、所述第一绝缘膜的第一部分以及所述第一金属膜的第一部分的重叠部分;
第二部分,对应于所述第二金属膜的第一部分、所述第三绝缘膜的第一部分以及所述第三金属膜的第一部分的重叠部分;
第三部分,对应于所述半导体层的第二部分;
其中,所述第一部分是驱动晶体管,其中,所述第二部分是电容器,所述电容器包括两个相邻的凹陷部分,并且在所述第二绝缘膜中,两个所述凹陷部分的相邻部分的厚度小于两个所述凹陷部分之外的部分的厚度,其中,所述第三金属膜中的第一配线与像素电极电连接,其中,在平面视图中,所述第二部分与所述第三部分重叠,
其中,在剖视图中,从所述半导体层的第二部分的顶面至所述第三金属膜的所述第一部分的底面的第一垂直距离小于从所述半导体层的第一部分的顶面至所述第一配线的底面的第二垂直距离;
其中,所述驱动晶体管被配置为控制发光元件。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体层的所述第一部分和所述半导体层的所述第二部分分离地形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三金属膜的所述第一部分和所述第三金属膜的第二部分分离地形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第三绝缘膜在剖视图中包括至少一个凹陷部分。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素电路区域进一步包括:第二配线,所述第二配线包括所述第三金属膜的第二部分;以及其中,所述第二配线与所述第一金属膜的所述第一部分在平面视图中重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中第四绝缘膜设置在所述第三金属膜上,并且像素电极设置在所述第四绝缘膜上。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述发光元件包括所述像素电极和有机发光层,并且,其中所述第三金属膜中的第一配线连接至所述像素电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一绝缘膜包括选自由以下组成的组中的至少一个:氧化硅和氮化硅。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二金属膜的所述第一部分的厚度是100nm~1500nm,以及,其中,所述第三金属膜的所述第一部分的厚度是100nm~1500nm。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一配线经由设置在所述第二绝缘膜中的第一接触孔电连接至晶体管。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体层包括氧化物半导体。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二部分包括至少一个凹陷部分。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三绝缘膜包括至少一个凹陷部分。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三绝缘膜的第二部分的膜厚度比所述第三绝缘膜的第一部分的膜厚度更大。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三绝缘膜是单层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的