[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810172985.4 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN109148573A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 小山将央;池田健太郎;高尾和人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 导电类型 导通电极 源极电极 半导体装置 漏极电极 栅极电极 相反侧 绝缘层 凸部 贯通 | ||
1.一种半导体装置，具备：
第1半导体层，是碳化硅；
第2半导体层，是氮化物半导体；
第3半导体层，与所述第2半导体层相接，处于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，且是氮化物半导体；
漏极电极，处于所述第1半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧；
源极电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第1凸部，所述第1凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的各个半导体层，所述第1凸部的前端位于所述第1半导体层的内部；
导通电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第2凸部，所述第2凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的各个半导体层，所述第2凸部的前端位于所述第1半导体层的内部；
栅极电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且处于所述源极电极与所述导通电极之间；以及
第1绝缘层，处于所述栅极电极与所述第2半导体层之间，
所述第1半导体层包括：
第1区域，是第1导电类型；
第2区域，处于所述第1区域与所述漏极电极之间，且是第1导电类型；
第3区域，处于所述导通电极的所述第2凸部与所述第1区域之间，且是第1导电类型；以及
第4区域，处于所述第3半导体层与所述第1区域之间，并且处于所述源极电极与所述导通电极之间，且是第2导电类型。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述栅极电极还具有第3凸部，所述栅极电极的所述第3凸部位于所述第2半导体层的内部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具备第2绝缘层，该第2绝缘层处于所述导通电极的所述第2凸部与所述第3半导体层之间。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第3区域还包括第5区域和第6区域，所述第5区域与所述第6区域交替地位于从所述源极电极朝向所述导通电极的方向。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在隔着所述源极电极而与存在所述导通电极的一侧相反的一侧的第1半导体层有多个所述第4区域，多个所述第4区域相互分离。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具备第7区域，该第7区域处于隔着所述源极电极而与存在所述导通电极的一侧相反的一侧的第1半导体层，并且与所述第4区域邻接。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述第2半导体层是AlxGa(1－x)N，其中0<x≤1。
8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述第3半导体层是GaN。
9.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
第2半导体层的带隙比第3半导体层宽。
10.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述第1区域是n型。
11.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述第2区域、所述第3区域是浓度比所述第1区域高的n型。
12.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述第4区域是p型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810172985.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种反向阻断型FS-IGBT
- 下一篇：半导体装置和制造半导体装置的方法
- 同类专利
- 专利分类
