[发明专利]一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，包括P型衬底，所述P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，所述深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在所述多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，所述深N阱远离所述P阱的一侧形成有N+漏极，所述P阱上形成有N+源极和P+源极，在所述深N阱与P阱交界区域上方的所述P型衬底上形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅与所述深N阱和P阱绝缘隔离，其中，所述注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，所述多段P型帽层的掺杂浓度互不相同；

其中，所述多晶硅栅呈阶梯形，且所述多晶硅栅较高的一端位于所述深N阱上方，所述多晶硅栅较低的一端位于所述P阱上方；所述深N阱的N型离子的注入剂量范围为1×10¹²/cm²-1×10¹³/cm²，所述深N阱的结深为4-16μm。

2.根据权利要求1所述的双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，所述P型衬底上还形成有绝缘介质层，所述多晶硅栅夹设于所述绝缘介质层中。

3.根据权利要求2所述的双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，所述P型衬底上还形成有漏极金属和源极金属，所述漏极金属穿过所述绝缘介质层与所述N+漏极电性连接，所述源极金属穿过所述绝缘介质层与所述N+源极和P+源极电性连接。

4.根据权利要求1所述的双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，所述P型帽层、N型埋层和P型埋层的注入剂量范围为1×10¹²/cm²-1×10¹³/cm²。

5.根据权利要求4所述的双通道变掺杂LDMOS器件，其特征在于，所述N+漏极、N+源极和P+源极的注入剂量范围为1×10¹⁵/cm²-1×10¹⁶/cm²。

6.一种双通道变掺杂LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

S1：在P型衬底上注入N型离子，并通过高温推结形成深N阱；

S2：在相邻所述深N阱的P型衬底上注入P型离子形成P阱；

S3：在所述深N阱中通过高能离子注入方式注入P型杂质形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，其中，所述多段P型帽层的掺杂浓度互不相同；

S4：在所述多段P型帽层下方的深N阱中通过高能离子注入方式分别注入N型杂质和P型杂质，形成至少一层注入埋层，其中，所述注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层；

S5：在所述深N阱上方的所述P型衬底上通过氧化形成厚氧化层，在所述P阱上方的所述P型衬底上通过氧化形成薄氧化层，其中，所述厚氧化层与薄氧化层相连；

S6：在所述厚氧化层与薄氧化层上通过淀积多晶硅形成多晶硅栅；

S7：在所述深N阱远离所述P阱的一侧注入N型离子形成有N+漏极，在所述P阱上注入N型离子和P型离子形成有N+源极和P+源极。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述深N阱的N型离子的注入剂量范围为1×10¹²/cm²-1×10¹³/cm²，所述深N阱的结深为4-16μm。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述P型帽层、所述N型埋层和P型埋层的注入剂量范围为1×10¹²/cm²-1×10¹³/cm²；所述N+漏极、N+源极和P+源极的注入剂量范围为1×10¹⁵/cm²-1×10¹⁶/cm²。