[发明专利]高纯试剂生产降膜结晶分离技术在审
申请号: | 201810174472.7 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN110218146A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 赵志峰 | 申请(专利权)人: | 赵志峰 |
主分类号: | C07C29/78 | 分类号: | C07C29/78;C07C31/04;C07C253/34;C07C255/03;B01D9/02 |
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地址: | 653100 云南省玉溪市*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结晶器 高纯试剂 结晶壁 结晶体 工业级原料 分离技术 降膜结晶 共沸物 融化 产品质量要求 底部出口 技术处理 结晶分离 吸收热量 杂质回收 冷却面 物料泵 液氮 粘附 不锈钢 去除 加压 流出 生产 | ||
本发明公开了一种高纯试剂生产降膜结晶分离技术,其特征在于:工业级原料通过不锈钢物料泵加压自上而下以降膜的形式通过结晶器A的结晶壁面,在通过的过程中不断的被另一侧冷却面由上而下的液氮快速大量的吸收热量,导致物料温度快速下降,而使物料中一些微量共沸物出现结晶并粘附在结晶壁上,没有结晶的原料从结晶器的底部出口流出并进入结晶分离罐供下一工序使用。当结晶器A内的结晶壁大量充满结晶体后,结晶器A切换至B运行。然后对结晶器A进行结晶体融化处理,融化成液体进入杂质回收槽,结晶器A/B互相切换循环使用。通过该技术处理后,能够彻底的去除工业级原料中的共沸物,使产品质量达到高纯试剂产品质量要求。
技术领域
本发明涉及高纯试剂产品生产技术领域,特别是涉及一种高纯试剂生产降膜结晶分离技术。
背景技术
高纯试剂产品生产使用的原料是工业级原料,将工业级原料中的杂质分离去除后,得到的就是高纯试剂产品。在生产过程中,工业级原料所含的微量杂质都是以共沸物状态存在,这些共沸物通过常规的精馏手段,是无法彻底去除,一般都是用强氧化剂对原料中容易共沸的杂质氧化生成另一种不易与原料共沸的物质,但是这些工艺容易导致氧化不彻底或者过度氧化又生成另一种共沸物,使生产出来的高纯试剂产品质量低且非常不稳定,产品时好时坏,无法满足我国高领域方面的需要。这就是我国的高纯试剂产品的生产瓶颈,从而导致我国的高纯试剂产品在这一领域的缺失,被国外产品所垄断。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种高纯试剂生产降膜结晶分离技术,能够解决现有的高纯试剂产品生产技术中的不足,导致产品质量低且不稳定的现象。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:一种高纯试剂生产降膜结晶分离技术,其特征在于,包括如下步骤:
储存于原料罐的工业级原料通过不锈钢物料泵加压至0.2MPa压力后经过调节阀、流量计控制流量自上而下通过结晶器A的结晶壁面,物料在结晶器的结晶壁面中以降膜的形式通过,在通过的过程中不断的被另一侧冷却面由上而下的液氮快速大量的吸收热量,导致物料温度快速下降至-20℃,而使物料中一些微量共沸物出现结晶并粘附在结晶壁上,而没有结晶的原料从结晶器的底部出口流出并进入结晶分离罐供下一工序使用。当结晶器A内的结晶壁大量充满结晶体后,结晶器A切换至B运行。然后对结晶器A进行结晶体融化处理,关闭结晶器A冷却面的液氮,改成0.6MPa压力的水蒸气通过结晶器A的冷却面,结晶壁的结晶体大量吸收热量后开始融化成液体从结晶器A的底部出口流出并进入杂质回收槽,融化完成后结晶器A待用。结晶器A/B互相切换循环使用。
本发明提供的高纯试剂生产降膜结晶分离技术,能够彻底的去除工业级原料中的共沸物微量杂质,确保后工序的稳定性并能彻底的去除微量杂质,以提高产品的质量并保持稳定连续的生产,并符合企业标准。
附图说明:
图1为本发明的工艺流程图。
具体实施方式:
本发明高纯试剂生产降膜结晶分离技术,包括如下步骤:
储存于原料罐的工业级原料通过不锈钢原料泵加压至0.2MPa压力后经过调节阀、流量计控制流量自上而下通过结晶器A的结晶壁面,原料在结晶器的结晶壁面中以降膜的形式通过,在通过的过程中不断的被另一侧冷却面由上而下的液氮快速大量的吸收热量,使原料温度快速下降至-20℃,而使原料中一些微量共沸物出现结晶并粘附在结晶壁上,而没有结晶的原料从结晶器的底部出口流出并进入结晶分离罐加热到25℃后供下一工序使用。当结晶器A内的结晶壁大量充满结晶体后,结晶器A切换至B运行。然后对结晶器A进行结晶体融化处理,首先停原料泵并关闭阀门,同时关闭结晶器A冷却面的液氮,打开水蒸气阀门,改用0.6MPa压力的水蒸气通过结晶器A的冷却面,结晶壁的结晶体大量吸收热量后开始融化成液体从结晶器A的底部出口流出并进入杂质回收槽,融化完成后结晶器A待用。结晶器A/B互相切换循环使用。
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