[发明专利]检测器和具有该检测器的发射成像设备

权利要求书

1.一种用于发射成像设备的检测器，其特征在于，包括：

多层闪烁晶体，所述多层闪烁晶体上下堆叠在一起构成多层连续晶体阵列，所述多层连续晶体阵列具有六个面，且尺寸为mⅹnⅹAh,尺寸nⅹAh、mⅹAh对应的四个面为侧面，尺寸mⅹn对应的两个面分别为上底面、下底面，m为所述闪烁晶体的长，n为所述闪烁晶体的宽，h为所述闪烁晶体的高，A为所述闪烁晶体的层数；以及

多排光传感器阵列，每排所述光传感器阵列包括多个光传感器，所述多排光传感器阵列耦合至所述多层连续晶体阵列的所述侧面，且，一排所述光传感器阵列耦合于所述多层闪烁晶体中的至少一层闪烁晶体的侧面上。

2.根据权利要求1所述的用于发射成像设备的检测器，其特征在于，所述光传感器活性区域尺寸为pⅹq，所述尺寸p＝Nⅹh,其中N为自然数，当N＝1时，一排所述光传感器阵列耦合一层所述闪烁晶体，且每层所述闪烁晶体的至少一个侧面上耦合有一排所述光传感器阵列；当N≧2时，一排所述光传感器阵列耦合N层所述闪烁晶体，且所述多层连续晶体阵列的至少两对相邻侧面上耦合的光传感器阵列错位排列。

3.根据权利要求2所述的用于发射成像设备的检测器，其特征在于，p＝2ⅹh，其中一所述侧面定义为第一侧面，与所述第一侧面相邻的两所述侧面分别定义为第二侧面、第四侧面，与所述第一侧面相对的侧面定义为第三侧面，所述第一侧面从最下层所述闪烁晶体开始，从下往上耦合所述光传感器阵列，当A为偶数时，所述第一侧面耦合A/2排光传感器阵列，当A为奇数时，所述第一侧面耦合(A-1)/2排光传感器阵列；所述第二侧面从最下层往上数的第二层所述闪烁晶体开始，从下往上耦合所述光传感器阵列，当A为偶数时，所述第二侧面耦合(A-2)/2排光传感器阵列，当A为奇数时，所述第二侧面耦合(A-1)/2排光传感器阵列。

4.根据权利要求3所述的用于发射成像设备的检测器，其特征在于，所述第三侧面与所述光传感器阵列的耦合方式相同于所述第一侧面与所述光传感器阵列的耦合方式，所述第四侧面与所述光传感器阵列的耦合方式相同于所述第二侧面与所述光传感器阵列的耦合方式。

5.根据权利要求3所述的用于发射成像设备的检测器，其特征在于，所述第三侧面与所述光传感器阵列的耦合方式相同于所述第二侧面与所述光传感器阵列的耦合方式，所述第四侧面与所述光传感器阵列的耦合方式相同于所述第一侧面与所述光传感器阵列的耦合方式。

6.根据权利要求2所述的用于发射成像设备的检测器，其特征在于，p＝3ⅹh，其中一所述侧面定义为第一侧面，与所述第一侧面相邻的两所述侧面分别定义为第二侧面、第四侧面，与所述第一侧面相对的侧面定义为第三侧面，所述第一侧面从最下层所述闪烁晶体开始，从下往上耦合所述光传感器阵列，当A除3可以除尽时，所述第一侧面耦合A/3排光传感器阵列，当A除3余1时，所述第一侧面耦合(A-1)/3排光传感器阵列，当A除3余2时，所述第一侧面耦合(A-2)/3排光传感器阵列；所述第二侧面从最下层往上数的第二层所述闪烁晶体开始，从下往上耦合所述光传感器阵列，当A除3可以除尽时，所述第二侧面耦合(A-3)/3排光传感器阵列，当A除3余1时，所述第二侧面耦合(A-1)/3排光传感器阵列，当A除3余2时，所述第二侧面耦合(A-2)/3排光传感器阵列。

7.根据权利要求6所述的用于发射成像设备的检测器，其特征在于，所述第三侧面从最下层往上数的第三层所述闪烁晶体开始，从下往上耦合所述光传感器阵列，当A除3可以除尽时，所述第三侧面耦合(A-3)/3排光传感器阵列，当A除3余1时，所述第三侧面耦合(A-1)/3排光传感器阵列，当A除3余2时，所述第三侧面耦合(A-2)/3排光传感器阵列。