[发明专利]一种提高LaFeSi合金磁制冷材料磁熵变曲线半高宽的方法有效
| 申请号： | 201810175950.6 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108467928B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 孙永阳;王占洲;洪群峰;韩相华;郝忠彬 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | C21D6/00 | 分类号： | C21D6/00;C21D1/74;H01F1/01;H01F41/00 |
| 代理公司： | 33109 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁制冷材料 磁熵变 合金 半高宽 炉冷 高温热处理 热处理 风冷 应用 | ||
1.一种提高LaFeSi合金磁制冷材料磁熵变曲线半高宽的方法，其特征在于包括以下步骤：
a）热处理：将LaFeSi合金磁制冷材料在1000～1300℃下进行高温热处理，热处理时间为1～24小时；
b）炉冷：热处理结束后关闭加热，在炉内冷却0～60分钟且炉内冷却时间大于0分钟；
c）风冷：在炉冷结束后取出炉内加热体，并对炉体和炉体内的LaFeSi合金磁制冷材料进行风冷，使其在10～300分钟内冷却至室温；
所述LaFeSi合金磁材料的成分为La1-xCexFe13-a-b-c-dMnaCrbCocSid，
所述的La1-xCexFe13-a-b-c-dMnaCrbCocSid中，x的范围为0<x≤0.5，d的范围为1.0≤d≤1.5；a的范围为0≤a≤0.5，b的范围为0≤b≤0.5，c的范围为0≤c≤0.5，并且a+b+c的范围为0.003≤a+b+c≤0.5。
2.根据权利要求1所述的一种提高LaFeSi合金磁制冷材料磁熵变曲线半高宽的方法，其特征在于还包括以下步骤：
d）充氢：将冷却后的LaFeSi合金磁制冷材料粉碎，并在0.5MPa压力氢气气氛中充氢处理5小时。
3.根据权利要求1或2所述的一种提高LaFeSi合金磁制冷材料磁熵变曲线半高宽的方法，其特征在于：
所述步骤c中的风冷处理采用风扇或鼓风机进行处理。
4.根据权利要求1或2所述的一种提高LaFeSi合金磁制冷材料磁熵变曲线半高宽的方法，其特征在于：
所述步骤d中，将冷却后的LaFeSi合金磁制冷材料粉碎至颗粒粒径小于1mm。
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