[发明专利]一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法

权利要求书

1.一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基底，并对所述基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列，所述光刻胶阵列为间隔开布置的多个光刻胶条纹形成的阵列；

利用疏水型的单分子层溶液对所述光刻胶阵列进行修饰，以获得具有亲疏水性的负性的光刻胶模板；

将N型材料溶解在第一溶剂中，以获得N型材料的溶液，并将所述光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入所述N型材料的溶液中，直至所述光刻胶模板完全浸入所述N型材料的溶液后取出所述光刻胶模板，以在所述光刻胶模板上形成N型单晶材料，其中，所述竖向放置的方式为将所述光刻胶模板按照所述光刻胶条纹沿竖向方向延伸的方式放置；

将P型材料溶解在第二溶剂中，以获得P型材料的溶液，并将形成有N型单晶材料的所述光刻胶模板按照所述竖向放置的方式浸入所述P型材料的溶液中，直至所述光刻胶模板完全浸入所述P型材料的溶液后取出所述光刻胶模板，以再在所述光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶P-N结阵列。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述N型材料选择成耐高温且仅在高于一预设温度时才溶解的N型材料。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述N型材料选为苝酰二亚胺的衍生物。

4.根据权利要求2或3所述的生长方法，其特征在于，所述第一溶剂和所述第二溶剂具有不同的极性。

5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述第一溶剂和所述第二溶剂的极性的差值大于或等于一预设差值。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的生长方法，其特征在于，所述疏水型的单分子层溶液选自十八烷基三氯硅烷、十八烷基膦酸、苯基三氯硅烷和3-氨基丙基-三乙氧基硅烷中的一种或多种的组合。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的生长方法，其特征在于，所述有机单晶微米带P-N异质结阵列是由多个有机单晶微米带P-N异质结以阵列排布的方式布置在所述光刻胶模板上，每一有机单晶微米带P-N异质结包括N型单晶微shenqi米带和P型单晶微米带，所述P型单晶微米带形成在所述N型单晶微米带的表面上，并至少部分地覆盖所述N型单晶微米带的表面。

8.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，每一有机单晶微米带P-N异质结中的N型单晶微米带在所述光刻胶模板上沿着一个光刻胶条纹的一侧边缘生长；

该有机单晶微米带P-N异质结中的P型单晶微米带形成在所述N型单晶微米带的表面上。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的生长方法，其特征在于，将所述光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入所述N型材料的溶液中之前还包括如下步骤：

加热所述N型材料的溶液，并使所述N型材料的溶液达到一预设温度。

10.根据权利要求9所述的生长方法，其特征在于，将形成有N型单晶微米带的所述光刻胶模板按照所述竖向放置的方式浸入所述P型材料的溶液中，其中，所述P型材料的溶液为常温。