[发明专利]图像读取装置和半导体装置在审
申请号: | 201810178029.7 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN108632494A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 佐野贤史 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H04N1/03 | 分类号: | H04N1/03;H04N5/378;H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 光电转换 受光元件 伪像素 图像读取装置 半导体装置 像素信号 放大 读取 图像 缩小图像 图像读取 距离比 芯片 配置 | ||
1.一种图像读取装置,其特征在于,该图像读取装置具有:
第一图像读取芯片,其读取图像;以及
光学单元,其将缩小所述图像而得到的像成像于所述第一图像读取芯片,
所述第一图像读取芯片包含:
第一像素,其包含第一受光元件,该第一受光元件接收缩小所述图像而得到的像的光并进行光电转换,所述第一像素对光电转换后的信号进行放大而生成第一像素信号;
第二像素,其包含第二受光元件,该第二受光元件接收缩小所述图像而得到的像的光并进行光电转换,所述第二像素对光电转换后的信号进行放大而生成第二像素信号;
第一读出电路,其与所述第一像素电连接,输出基于所述第一像素信号的第一读出信号;
第二读出电路,其与所述第二像素电连接,输出基于所述第二像素信号的第二读出信号;以及
伪像素,其不涉及所述图像的读取,
所述第一图像读取芯片是包含第一边和比所述第一边短的第二边的形状,
所述第一像素、所述第二像素以及所述伪像素沿着所述第一边延伸的方向排列配置,
所述伪像素与所述第二边之间的距离比所述第一像素与所述第二边之间的距离短,
所述伪像素与所述第二边之间的距离比所述第二像素与所述第二边之间的距离短。
2.根据权利要求1所述的图像读取装置,其特征在于,
所述第一像素、所述第二像素以及所述伪像素配置在由同一阱包围的区域中。
3.根据权利要求1或2所述的图像读取装置,其特征在于,
所述第一图像读取芯片包含:
第一放大电路,其包含在所述第一读出电路中,对所述第一像素信号进行放大而输出;
第二放大电路,其包含在所述第二读出电路中,对所述第二像素信号进行放大而输出;以及
伪放大电路,其不涉及所述图像的读取,
所述第一放大电路、所述第二放大电路以及所述伪放大电路沿着所述第一边延伸的方向排列配置,
所述伪放大电路与所述第二边之间的距离比所述第一放大电路与所述第二边之间的距离短,
所述伪放大电路与所述第二边之间的距离比所述第二放大电路与所述第二边之间的距离短。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的图像读取装置,其特征在于,
所述第一图像读取芯片包含:
第一扫描电路,其包含在所述第一读出电路中,对放大后的所述第一像素信号的读出时机进行控制;
第二扫描电路,其包含在所述第二读出电路中,对放大后的所述第二像素信号的读出时机进行控制;以及
伪扫描电路,其不涉及所述图像的读取,
所述第一扫描电路、所述第二扫描电路以及所述伪扫描电路沿着所述第一边延伸的方向排列配置,
所述伪扫描电路与所述第二边之间的距离比所述第一扫描电路与所述第二边之间的距离短,
所述伪扫描电路与所述第二边之间的距离比所述第二扫描电路与所述第二边之间的距离短。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的图像读取装置,其特征在于,
该图像读取装置包含第二图像读取芯片,
所述图像包含第一部分图像和第二部分图像,
所述光学单元将缩小所述第一部分图像而得到的像成像于所述第一图像读取芯片,
所述光学单元将缩小所述第二部分图像而得到的像成像于所述第二图像读取芯片。
6.一种半导体装置,其特征在于,
该半导体装置是包含第一边和比所述第一边短的第二边的形状,
该半导体装置包含:
第一像素,其包含第一受光元件,该第一受光元件接收缩小图像的一部分而得到的像的光并进行光电转换,所述第一像素对光电转换后的信号进行放大而生成第一像素信号;
第二像素,其包含第二受光元件,该第二受光元件接收缩小所述图像的一部分而得到的像的光并进行光电转换,所述第二像素对光电转换后的信号进行放大而生成第二像素信号;
第一读出电路,其与所述第一像素电连接,输出基于所述第一像素信号的第一读出信号;
第二读出电路,其与所述第二像素电连接,输出基于所述第二像素信号的第二读出信号;以及
伪像素,其不涉及所述图像的读取,
所述第一像素、所述第二像素以及所述伪像素沿着所述第一边延伸的方向排列配置,
所述伪像素与所述第二边之间的距离比所述第一像素与所述第二边之间的距离短,
所述伪像素与所述第二边之间的距离比所述第二像素与所述第二边之间的距离短。
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