[发明专利]一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器，依次由柔性衬底、底电极、阻变层和顶电极组成的堆栈结构；其特征在于，所述柔性衬底为聚合物聚萘二甲酸乙二醇酯，或者是聚对苯二甲酸乙二醇酯，或者是聚酰亚胺，所述底电极为氧化铟锡(ITO)，或者是氟掺氧化锡(FTO)，或者是锌掺氧化锡(ZTO)，或者是氮化钛(TiN)导电金属化合物，厚度为50～300nm；所述阻变层为双层二元过渡金属氧化物薄膜结构，厚度范围均为10～50nm；所述顶电极为铂(Pt)，或者是金(Au)、钨(W)、钛(Ti)、银(Ag)、铜(Cu)，厚度为100～300nm。

2.根据权利要求1所述的一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器，其特征在于所述阻变层材料为HfO₂、TiO₂、ZnO、ZrO₂、Ta₂O₅，上下层分别是这些材料的不同组合。

3.根据权利要求1所述的一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器，其特征在于在400nm～800nm的波长范围内其透光率大于94％。

4.一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

1)选择带有底电极的柔性衬底，并用超声波清洗；

2)在上述有底电极的柔性衬底上长边一侧贴上4mm宽的绝缘胶带，作为预留电极，以便测试压针；

3)将作为下层阻变层的靶材放在靶台上，然后利用磁控溅射技术制备阻变层，磁控溅射真空度小于10^-4Pa、衬底温度为室温、工作压强为0.3～0.8Pa、溅射功率为50～80W，溅射厚度为10～50nm；

4)将作为上层阻变层的靶材放在靶台上，然后利用磁控溅射技术制备阻变层，磁控溅射真空度小于10^-4Pa、衬底温度为室温、工作压强为0.3～0.8Pa、溅射功率为50～80W，溅射厚度为10～50nm；

5)对以上制备好的样品进行光刻处理，通过涂胶、前烘、曝光、曝光后烘、裸曝光、显影、后烘干的工艺流程得到直径100μm的顶电极图案；

6)将作为顶电极的靶材放在靶台上，在以上制备好的样品上利用磁控溅射技术或原子层沉积制备顶电极，磁控溅射真空度小于10^-4Pa、衬底温度为室温、工作压强为0.3～0.8Pa、溅射功率为50～100W。

7)将制备好的样品在40W的功率中超声30s左右去掉多余的光刻胶，移除绝缘胶带使底电极暴露，以便进行测试，至此产品制备完成。