[发明专利]一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2 有效
申请号: | 201810178616.6 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN108411262B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 邱万奇;程奕天;杨宇;王书林;周克崧;代明江 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学;广东省新材料研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 罗啸秋 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低温 反应 溅射 沉积 纳米 al base sub | ||
1.一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)将Al粉与α-Al2O3粉按α-Al2O3粉的含量为15~25wt.%进行混合后压制、烧结,制成Al/α-Al2O3复合材料;
(2)将Al/α-Al2O3复合材料切割成设备所需靶材尺寸,并安装在射频磁控溅射相对应的工作靶位;
(3)将工件基体进行预处理,然后置于射频磁控溅射沉积腔室的样品台上,调整好靶材与工件基体的间距;
(4)预抽低真空至10Pa以下,开启烘烤系统,然后抽至本底真空度后向沉积腔室内充Ar气,以排除沉积腔室内残留的水蒸汽,再抽至本底真空度;
(5)关闭烘烤系统,开启样品台加热系统并将工件基体加热至550~750℃,利用进气控制系统向沉积腔室内注入Ar+O2混合气体,控制O2分压在15%~25%范围,启动射频磁控溅射镀膜系统,开始反应溅射沉积α-Al2O3涂层至所需厚度,得到所述纳米α-Al2O3涂层;
步骤(5)中所述射频磁控溅射镀膜系统的参数为:工作气压在0.5~1Pa范围,靶功率密度在5~10W/cm2范围。
2.根据权利要求1所述的一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法,其特征在于步骤(1)中所述Al/α-Al2O3复合材料的具体制备方法为:将纯度为99.995%的Al粉及纯度为99.999%的α-Al2O3粉用V型混粉机进行机械混合24~72h,将混合粉在10~15MPa的载荷下进行预压5~10s后在90~100MPa的载荷下保压1~3min,脱模后在Ar气保护气氛下烧结,烧结温度在300~450℃范围,烧结保温时间在60~180min范围,得到所述Al/α-Al2O3复合材料。
3.根据权利要求1所述的一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法,其特征在于:步骤(3)中所述预处理是指用除油剂将工件基体表面的油污充分去除并烘干。
4.根据权利要求1所述的一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法,其特征在于:步骤(3)中所述靶材与工件基体的间距为80~120mm范围。
5.根据权利要求1所述的一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法,其特征在于:步骤(4)中所述向沉积腔室内充Ar气是指使真空度回到10~20Pa范围,稳定后再关闭Ar气并抽至本底真空度。
6.根据权利要求1所述的一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法,其特征在于:步骤(5)中所述反应溅射沉积α-Al2O3涂层之前,针对金属或合金基体,预先在基体表面制备一层过渡层。
7.根据权利要求1所述的一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法,其特征在于:步骤(5)中所述沉积完成后,先关闭射频磁控溅射阴极电源,然后关闭Ar+O2混合气,关闭样品加热系统,抽真空至本底真空度,当工件温度低于120℃时,打开沉积腔室并取出工件。
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