[发明专利]低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路

权利要求书

1.一种低频振荡电路，其特征在于，其包括偏置电压和电流产生电路、振荡电路；

所述偏置电压和电流产生电路包括第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管～第四NMOS晶体管、第一电阻；

第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PB；第二PMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PG；第三PMOS晶体管的漏极与第一电阻的一端、第一NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为NBR；第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极相连接；电阻R1的另一端与第二NMOS晶体管的栅极、第三NMOS晶体管漏极和栅极、第四NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为NB；第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极接地GND；

所述振荡电路包括第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器、第一比较器、第二比较器、第一RS触发器、第一电容；

第四PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，其栅极与所述节点PG端相连接，其漏极与所述第一反相器的正电源端相连接；第五NMOS晶体管的漏极与所述第一反相器的负电源端相连接，其栅极与所述节点NB端相连接，其源极接地GND；所述第一反相器的输出端与第一比较器的反向输入端、第二比较器的正向输入端以及第一电容的一端相连接，其连接的节点记为VC，第一电容的另一端接地GND；第一比较器的正向输入端与所述节点NBR相连接，第二比较器的反向输入端与所述节点NB相连接；第一比较器的输出端与第一RS触发器的置位端S相连接，第二比较器的输出端与第一RS触发器的复位端R相连接，第一RS触发器的输出端Q与第一反相器的输入端相连接，其连接的节点记为Q。

2.如权利要求1所述的低频振荡电路，其特征在于：当节点VC的电压大于节点NBR的电压时，第一比较器输出为低电平，第一RS触发器S端有效，输出端Q为高电平，第一反相器输出低电平，对第一电容放电，节点VC的电压下降；反之亦然，形成弛豫振荡。

3.如权利要求1或2所述的低频振荡电路，其特征在于：MN2＝N*MN1，R1上的电压差为(kT/q)*lnN，R1上流过的电流为IB，IB＝(kT/q)*lnN/R1；其中，“*”表示乘号，k是波尔兹曼常数，T是绝对温度，q是电荷常量，R1表示第一电阻，MN2表示第二NMOS晶体管，MN1表示第一NMOS晶体管，N是MN2和MN1的宽长比的比值。