[发明专利]LDMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供第二导电类型的第一外延层；

步骤二、在所述第一外延层的表面依次形成第一氧化层、第二多晶硅层和第三氮化层，光刻定义出漂移区场氧的形成区域，将所述漂移区场氧的形成区域的所述第三氮化层去除并形成将所述第二多晶硅层表面暴露的第一开口；

步骤三、进行热氧化，所述第一开口中的所述第二多晶硅层被局部氧化形成所述漂移区场氧的主体部分；所述热氧化同时将所述第二多晶硅层底部的所述第一外延层氧化形成所述漂移区场氧的底部部分；所述漂移区场氧由所述主体部分和所述底部部分叠加而成；

之后，去除剩余的所述第三氮化层和所述第二多晶硅层；

步骤四、采用第一导电类型离子注入工艺在所述第一外延层的选定区域中形成漂移区，所述漂移区场氧位于所述漂移区的部分区域中；之后，去除所述第一氧化层；

步骤五、形成栅极结构，所述栅极结构包括叠加而成的栅介质层和多晶硅栅；形成LDMOS器件的体区，源区，漏区；

所述底部部分在所述漂移区场氧的第一侧形成一个鸟嘴使得所述栅介质层和所述漂移区场氧的第一侧的鸟嘴接触，降低所述栅介质层和所述漂移区场氧接触处的电场强度，提高关态击穿电压；

所述主体部分用于在保证所述漂移区场氧的总厚度保持不变的条件下减少所述底部部分的厚度，从而减少所述漂移区场氧的底部和所述第一外延层表面之间的距离，用以降低器件的导通电阻。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述第一外延层的底部形成有第一导电类型重掺杂的第一埋层；所述第一埋层形成于半导体衬底表面。

3.如权利要求2所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底，所述第一外延层为硅外延层。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤三中所述底部部分对应的热氧化工艺对所述第一外延层的消耗量为

5.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述主体部分的厚度为

6.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤五中形成所述栅极结构的步骤包括：

依次形成栅介质层和第一多晶硅层；

进行第一次光刻定义出多晶硅栅的第一侧的侧面位置，依次对所述第一多晶硅层和所述栅介质层进行刻蚀形成所述多晶硅栅的第一侧的侧面并将所述多晶硅栅的第一侧的侧面外的所述第一外延层表面露出；

进行第二次光刻定义出多晶硅栅的第二侧的侧面位置，对所述第一多晶硅层进行刻蚀形成所述多晶硅栅的第二侧的侧面并形成所述多晶硅栅，由所述栅介质层和所述多晶硅栅叠加形成栅极结构；所述栅介质层的第二侧和所述漂移区场氧的第一侧相接触，所述多晶硅栅的第二侧延伸到所述漂移区场氧的表面上。

7.如权利要求6所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述体区的形成步骤放置在所述栅极结构的所述多晶硅栅的第一侧的侧面形成之后以及所述多晶硅栅的第二侧的侧面形成之前进行。

8.如权利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：采用第二导电类型离子注入工艺进行形成所述体区，所述体区位于所述多晶硅栅的第一侧的侧面外的所述第一外延层中，所述体区在退火后延伸到所述多晶硅栅的第一侧的底部，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道。

9.如权利要求6所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述源区和所述漏区的形成步骤放置在所述栅极结构的所述多晶硅栅的第二侧的侧面形成之后进行。

10.如权利要求9所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：进行第一导电类型重掺杂离子注入同时形成所述源区和所述漏区，所述源区形成于所述体区表面且所述源区的第二侧和所述多晶硅栅的第一侧自对准；所述漏区形成于所述漂移区中且所述漏区的第一侧和所述漂移区场氧的第二侧自对准。