[发明专利]鳍式集成电路器件及其阈值电压调节方法

权利要求书

1.一种调节鳍式集成电路的阈值电压的方法，包括：

在第一栅极结构中形成第一开口，并且在第二栅极结构中形成第二开口，其中，所述第一栅极结构设置在第一鳍结构上方，并且所述第二栅极结构设置在第二鳍结构上方；以及

通过以下步骤填充所述第一开口和所述第二开口：

形成栅极介电层，

在所述栅极介电层上方形成阈值电压调整层，其中，所述阈值电压调整层包括钽和氮，

使用含氯化钨的前体回蚀所述第二开口中的所述阈值电压调整层，其中，所述回蚀工艺还包括在使用所述含氯化钨的前体之前，使用含氯化钽前体来去除所述第二开口中的所述阈值电压调整层的被氧化的表面，

在所述阈值电压调整层上方形成功函层，以及

在所述功函层上方形成金属填充层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述阈值电压调整层包括实施原子层沉积工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，回蚀所述阈值电压调整层包括调整蚀刻参数以相对于与所述第一栅极结构对应的阈值电压来减小与所述第二栅极结构对应的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在回蚀所述阈值电压调整层之后形成所述功函层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述功函层是第一类型功函层，并且填充所述第一开口和所述第二开口还包括：

在回蚀所述阈值电压调整层之前，在所述第一开口和所述第二开口中的所述阈值电压调整层上方形成第二类型功函层；

从所述第二开口去除所述第二类型功函层，从而暴露用于所述回蚀的所述第二开口中的所述阈值电压调整层；以及

在所述回蚀之后，在所述第一开口中的所述第二类型功函层上方和所述第二开口中的所述阈值电压调整层上方形成所述第一类型功函层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在回蚀所述阈值电压调整层之前形成所述功函层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述功函层是第一类型功函层，并且填充所述第一开口和所述第二开口还包括：

从所述第二开口去除所述第一类型功函层，从而暴露用于所述回蚀的所述第二开口中的所述阈值电压调整层；以及

在所述回蚀之后，在所述第一开口中的所述第一类型功函层上方形成第二类型功函层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述第一开口和所述第二开口还包括在所述栅极介电层上方形成覆盖层，其中，所述覆盖层设置在所述栅极介电层和所述阈值电压调整层之间。