[发明专利]一种用于光纤萨格纳克干涉仪相位调制的方法和装置有效
申请号: | 201810178777.5 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN110231024B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 李卫;齐跃峰;李思佳 | 申请(专利权)人: | 李卫;齐跃峰 |
主分类号: | G01C19/72 | 分类号: | G01C19/72 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100036 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 光纤 萨格纳克 干涉仪 相位 调制 方法 装置 | ||
1.一种用于光纤萨格纳克干涉仪相位调制的方法,其特征在于,该方法包括:
利用两个旋向相反且旋光角相同的法拉第旋光器件,分别旋转从光纤萨格纳克干涉仪光路中入射的两路偏振方向相同的线偏振光;
在上述两个法拉第旋光器件中放置电光晶体器件;
在电光晶体器件的电极上外加调制电压使得电光晶体发生电致双折射;
电光晶体电感应主轴所在的平面与入射光的方向垂直;
控制上述两个法拉第旋光器件的旋光角以及从外部入射其上偏振光的偏振方向,使其出射光的偏振方向分别旋向电光晶体由于电致使双折射而产生的两个电感应主轴方向;
通过外加调制电压的变化来调制电光晶体的电光相位延迟,从而使得从不同端口通过相位调制器的线偏振光的相位差受到调制。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括:法拉第旋光器件的旋光角为45°。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括:电光晶体器件的相位调制指数取值使得一阶贝塞尔函数值最大。
4.如权利要求1所述的一种用于光纤萨格纳克干涉仪相位调制的方法,其特征在于,该方法还包括:利用光纤准直器来实现法拉第旋光器件接入萨格纳克干涉仪。
5.如权利要求1所述的一种方法,其特征在于,该方法还包括:利用偏振片来控制法拉第旋光器件入口处光的偏振方向。
6.一种用于光纤萨格纳克干涉仪相位调制的装置,该装置包括:一对旋向相反的法拉第旋光器件、一个置于旋光器件中间的电光晶体器件;
一对旋向相反的法拉第旋光器件,用于控制从光纤萨格纳克干涉仪的入射偏振光的偏振方向旋转,使其两端入射的线偏振光分别旋向电光晶体由于电致双折射而产生的两个电感应轴主轴方向;
电光晶体器件,用于在外加调制电压下产生电致双折射效应;
电光晶体电感应主轴所在的平面与入射光的方向垂直;
控制上述两个法拉第旋光器件的旋光角以及从外部入射其上偏振光的偏振方向,使其出射光的偏振方向分别旋向电光晶体由于电致使双折射而产生的两个电感应主轴方向;
通过外加调制电压的变化来调制电光晶体的电光相位延迟,从而使得从不同端口通过相位调制器的线偏振光的相位差受到调制。
7.如权利要求6所述的一种装置,其特征在于电光晶体器件的相位调制指数取值使得一阶贝塞尔函数值最大。
8.如权利要求6所述的一种装置,其特征在于电光晶体器件的电光晶体为铌酸锂晶体,用于通过横向电光效应,在外加调制电压的作用下产生电致双折射。
9.如权利要求6所述的一种装置,该装置还包括两个光纤准直器,用于连接两个旋向相反的法拉第器件与光纤萨格纳克干涉仪。
10.如权利要求6所述的一种装置,该装置还包括至少一个偏振器,所述至少一个偏振器用于控制法拉第旋光器件入口处光的偏振方向。
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