[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干栅极结构，所述栅极结构包括位于基底表面第一栅极部和位于第一栅极部顶部的第二栅极部，所述第一栅极部中具有第一掺杂离子；

在所述第二栅极部表面形成金属层；

进行退火处理，使部分所述金属层与第二栅极部反应形成金属硅化物层，在形成所述金属硅化物层的过程中，金属层与第二栅极部具有第一反应速率，所述金属层与第一栅极部具有第二反应速率，且所述第二反应速率小于第一反应速率；

所述第二栅极部的高度与第一栅极部的高度比为：3:2～4:1。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极部的材料包括硅，所述第一掺杂离子包括碳离子，第二栅极部材料包括硅。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极部的形成工艺包括：化学气相沉积工艺；所述化学气相沉积工艺的参数包括：反应气体包括硅源和碳源，硅源包括硅烷，碳源包括乙烯，碳源的气体流量为100cm³/min～500cm³/min，硅源的流量为300cm³/min～1500cm³/min。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括：镍、钛或者铂，所述第二栅极部的材料包括硅，相应的，金属硅化物层的材料包括：硅镍化合物、钛硅化合物或者铂硅化合物。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为快速退火工艺；所述快速退火工艺的参数包括：温度为200摄氏度～400摄氏度，时间为1分钟～3分钟。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二栅极部全部用于形成金属硅化物层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅极部和第二栅极部之后，形成所述金属层之前，所述形成方法还包括：在所述基底上、以及第一栅极部和第二栅极部的侧壁形成介质层；所述介质层的材料包括：氧化硅。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上的若干栅极结构，所述栅极结构包括第一栅极部和位于第一栅极部顶部的金属硅化物层，所述第一栅极部中具有第一掺杂离子；

所述金属硅化物层的高度与第一栅极部的高度比为：3:2～4:1。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极部的材料包括硅，所述第一掺杂离子包括碳。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括：硅镍化合物、钛硅化合物或者铂硅化合物。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于基底表面、以及覆盖第一栅极部和金属硅化物层侧壁的介质层；所述介质层的材料包括氧化硅。